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        arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 最新資訊

        三星發布了其首款60TB固態硬盤,能否搶占先機?

        • 內存和存儲芯片制造商三星發布了其首款容量高達60TB的企業級固態硬盤(SSD),專為滿足企業用戶的需求而設計。得益于全新主控,三星表示未來甚至可以制造120TB的固態硬盤。對比2020年發布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少,因
        • 關鍵字: 三星  固態硬盤  V-NAND  

        鎧俠產能滿載 傳7月量產最先進NAND Flash產品

        • 《科創板日報》4日訊,鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉,鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數據存儲元件,和現行產品相比,存儲容量提高約50%,寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
        • 關鍵字: 鎧俠  NAND Flash  

        NAND市場,激戰打響

        • 隨著人工智能(AI)相關半導體對高帶寬存儲(HBM)需求的推動,NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前,NAND 閃存市場的競爭正在加劇,存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力,以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產,這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢?眾所周知,平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分,
        • 關鍵字: 三星  第九代 V-NAND  

        鎧俠結束減產?兩座NAND工廠開工率提高至100%

        • 據日經新聞報道,鑒于市場正在復蘇,日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續20個月的減產行動,且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱,鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業務好轉,債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元(34.3億美元)貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月,為應對需求低迷的市場環境,鎧俠發布聲明稱,將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產,將晶圓生產量減少約30%,并表示會繼續根據
        • 關鍵字: 鎧俠  NAND  

        Omdia:2027 年 QLC 市場規模將占整體 NAND 閃存 46.4%,為去年 3.6 倍

        • IT之家 6 月 14 日消息,韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱,2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%,僅略低于 TLC 的 51%。作為對比,Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%,今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說,未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍,達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前,QLC 的市場滲透主要
        • 關鍵字: QLC  NAND 閃存  

        三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

        • 據外媒報道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實現pb級ssd。如果上述材料研發順利,將能夠在特定條件下表現出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩定度。據三星電子高管預測,到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發表技術演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
        • 關鍵字: 三星  NAND  存儲  

        三星1000層NAND目標,靠它實現

        • 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現目標,且可能是關鍵。目前,三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據業內消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術,堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是,KAIST的研究
        • 關鍵字: 三星  NAND  Flash  

        三星1000層NAND目標,靠它實現?

        • 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現目標,且可能是關鍵。目前,三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據業內消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術,堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是,KAIST的
        • 關鍵字: 三星  1000層  NAND  

        SK海力士開發新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

        • · 作為業界最高性能產品,將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比,長期使用所導致的性能下降方面實現大幅改善,其使用壽命也提升40%· “繼HBM后,也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司開發出用于端側(On-Device)AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品,其產品實現業界最高
        • 關鍵字: SK海力士  AI  存儲  NAND  

        SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產400多層的3D NAND

        • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
        • 關鍵字: SK海力士  3D NAND  

        第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%

        • 據TrendForce集邦咨詢最新預估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。403地震發生前,TrendForce集邦咨詢原先預估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出,現貨價已出現連續走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機
        • 關鍵字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

        累計上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對內存等漲價 至少上調20%

        • 5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調,目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價,三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元,環比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生
        • 關鍵字: SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上漲  

        美光率先量產面向客戶端和數據中心的200+層QLC NAND產品

        • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232層QLC NAND現已量產,并在部分?Crucial?英睿達固態硬盤(SSD)中出貨。與此同時,美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業級存儲客戶量產,并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術領域的長期領導地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
        • 關鍵字: 美光  QLC NAND  

        群聯3月營收年增73%,創歷史單月新高紀錄

        • 近日,存儲廠商群聯公布了2024年3月份營運結果,合并營收為新臺幣67.75億元,年成長達73%,刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元,年成長達64%,為歷史同期次高。群聯表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長率(Bit Growth Rate)也達80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場需求持續緩步回升趨勢不
        • 關鍵字: 群聯  SSD固態硬盤  NAND Flash  

        英飛凌合作伙伴Thistle Technologies將其Verified Boot技術與英飛凌OPTIGA? Trust M結合,以增強設備安全性

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