- 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫療設備、家用電器等領域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設計中應注意的關鍵技術。
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編程 接口 Flash 擦除
- Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發展起來的一種新型半導體不揮發存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數據不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統應用開發中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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NOR Flash 接口 單片機
- 以基于TMS320C32 DSP開發的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應用；利用它的操作過程實現斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內的特 性，結合TMS320C3x提出實現DSP系統上電后用戶程序的自動引導的方法。
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DSP Flash TI
- 芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。
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電源電壓 Flash MCU
- 據外媒報道，存儲芯片市場上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。
他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。
據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發布報告說：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續漲到今年底。
整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。
他指出，建構數據中心的廠商「重視的是系統的表現而
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DRAM Flash
- 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發成本增加，切換過程中也很容易出現產能損失，同時還需要更新舊設備，增加新設備，以及擴大生產空間，從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少，以及投資成本增加。
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Flash 三星
- 儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現，埋下隱憂。
目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數。
稍早三星和美光也都
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Flash 晶圓
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。
SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。
1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫 例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫入函數，這自然會導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執行寫入或擦除操作時，對
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Flash 芯片
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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NAND Flash 英特爾
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社)
根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
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Flash 存儲器
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能，就差合肥團隊還未有相關消息，現在相關招募信息與環評結果曝光，也透露更多發展信息。
中國發展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現在從兆易創新的招募消息與合肥長鑫的環評公告，也可一窺其在合肥的布局。
合肥將發展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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長江存儲 Flash
- 嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統，并闡述具體的設計思想。
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Flash NAND FAT 文件系統
- 隨著嵌入式系統產品的發展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
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