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        傳三星正積極研究Gate-last工藝

        •   據消息來源透露,三星公司的芯片制造技術發展戰略可能發生較大的變化,他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃,他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝,而在22nm制程則會轉向采用gate-last工藝。于此同時,三星芯片代工業務部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發表任何評論。
        • 關鍵字: 三星  Gate-last  

        臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節點將轉向Gate-last工藝

        •   去年夏季,一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定:他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據臺積電負責技術研發的高級副總裁蔣尚義表示,臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下,便讓我們在蔣尚義的介紹中,了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現計劃。   Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術,這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區離子注入操作以及隨后的高溫
        • 關鍵字: 臺積電  Gate-last  28nm   

        臺積電28納米明年1Q試產 迎擊IBM陣營

        •   臺積電28納米制程再邁大步,預計最快2010年第1季底進入試產,2011年明顯貢獻營收,臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單,目前28納米制程技術最大競爭對手,仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered),雙方競爭更趨激烈。   臺積電表示,已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術藍圖,預計2010年第3季進行試產,至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產
        • 關鍵字: 臺積電  28納米  gate-last  

        行政院計畫興建第二通道 與中華電信抗衡

        • 為有效??解我國最後一哩(last mile)的困境,行政院提出「寬頻管道建置計畫」,也就是投入370億元,在全國建置6,000公里的第二共同管道寬頻網路環境,和中華電信相抗衡,以協助其它固網及二類電信業者,能獲得更公平的競爭機會
        • 關鍵字: Last  中華電信  寬頻網路  
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