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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅動器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
- 關鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門極驅動器
ITECH半導體測試方案解析，從容應對全球功率半導體市場風起云涌
- 全球功率半導體市場風起云涌，行業整合步伐加速。作為電力控制/節能減排核心半導體器件，功率半導體器件廣泛應用于從家電、消費電子到新能源汽車、智能電網等諸多領域。順全球半導體產業洗牌大勢，近年來功率半導體產業整合步伐急速提升
- 關鍵字： ITECH程控電源及電子負載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 電能轉換器件 光伏/智能電網/充電樁 什么是IGBT 導通電阻
將ADuM4135柵極驅動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用
- 簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設計選擇的。本應用筆記所述設計中的APTGT75A120 IGBT是快速溝槽器件，采用Microsemi Corporation?專有的視場光闌IGBT技術。該IGBT器件還具有低拖尾電流、高達20 kHz的開關頻率，以及由于對稱設計，具有低雜散電感的軟恢復并聯二極管
- 關鍵字： ADI ADuM4135柵極驅動器 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊
Littelfuse推出IGBT模塊和整流器二極管模塊
- Littelfuse公司日前宣布，為其功率控制半導體系列新添兩款產品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業標準的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值，能夠可靠、靈活地提供依托現代IGBT技術的高效而迅速的開關速度。 此類產品設計用于多種功率控制應用，包括交流電機控制器、運動/伺服控制器、逆變器、電源以及太陽能逆變器。 新的相臂和常規陰極電路整流器二極管模塊的額定值最高為1800V和200A，提供更高的熱效率以保證更長的使用壽命和可靠性能。 其符合行業標準的S和A封裝尺寸使標準二極管具有
- 關鍵字： Littelfuse IGBT模塊 整流器二極管模塊
二代大功率IGBT短路保護和有源鉗位電路設計
- 摘要：通過分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件，設計了大功率IGBT的短路保護和有源鉗位電路。
關鍵詞：IGBT模塊；二代SCALE-2模塊；2SC0435T；短路保護 - 關鍵字： IGBT模塊 二代SCALE-2模塊 2SC0435T 短路保護 有源鉗位
igbt模塊介紹
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [ 查看詳細 ]
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