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        二代大功率IGBT短路保護和有源鉗位電路設計

        作者: 時間:2013-05-18 來源:網絡 收藏

        摘要:通過分析IGBT的器件特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的作為核心部件,設計了大功率IGBT的電路。
        關鍵詞:

        0 引言
        耐壓高、電流大、飽和壓降低、工作頻率高,是大功率逆變器、電源等電力電子裝置的首選功率器件。但IGBT抗過載能力不高,設計發揮IGBT性能、高可靠性的IGBT驅動電路,是設計者必須考慮的問題。本文從應用角度,分析了IGBT的特性和短路特性,以瑞士CONCEPT公司最新推出的為核心部件,設計了大功率IGBT的電路,試驗驗證該驅動器具有良好的驅動及保護能力。

        1 IGBT的特性分析
        1.1 IGBT損壞原因分析
        在使用過程中損壞的主要原因有:VCE過壓、VCE過壓、過高的dv/dt、過高的靜電(ESD)、過流、短路、過高的di/dt、過高的結溫等,IGBT驅動電路能保護的項目有:VCE過壓、VCE過壓、過高的dv/dt、短路、過高的di/dt。
        1.2 IGBT的外特性
        圖1是IGBT的外特性圖,通常IGBT的datasheet中只給出額定電流的2倍曲線的外特性(左下角),電流再大的部分屬于定性不定量的示意圖。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/175794.htm


        它表示,在短路發生時,電流的絕對值與電壓、回路中的電感量及整個過程持續的時間有關系。絕大部分的短路,母線電壓都是在額定點的,影響短路電流的因素主要是“短路回路中的電感量”。因此依據短路回路中的電感量,可將短路分為一類短路和二類短路。
        發生一類短路時,回路中的電感量很小(100nH級),見圖2。IGBT的電流會快速上升,當電流上升到4倍額定電流,IGBT發生退飽和現象,IGBT的電壓會迅速上升至直流母線電壓,芯片的損耗非常大。驅動器需在10us內把IGBT關斷,稱短路保護。

        c.JPG


        發生二類短路時,由于回路的電感量稍大(uH級),電流爬升的速度慢(相比一類),IGBT的Vcesat下降至飽和壓降,隨著電流進一步加大,飽和壓降輕微上升,之后存在兩種情況:
        ●電流能到達“退飽和點”時,Vcesat迅速上升至直流母線電壓,10μs內驅動器關斷IGBT,IGBT得到保護;
        ●當電流爬升慢,IGBT不發生退飽和現象,IGBT處于過流狀態。如果不及時關斷,由于電流比正常值高很多,經過若干開關周期后,IGB T損耗會比較高,結溫會迅速上升,從而導致IGBT失效。此時需檢測IGBT電流變化率,對IGBT進行及時關斷,稱過流保護。
        根據IGBT特性,IGBT電流變化率可通過Vcesat檢測,但由于Vcesat在飽和區內變化微弱,容易導致驅動器誤保護,所以,現在IGBT驅動保護電路只進行短路保護,過流保護由霍爾電流傳感器完成。


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