- 靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應...
- 關鍵字：
IGBT模塊 測試
- 面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場，動力集成研發工程師正在向更高的系統效率、穩定性和...
- 關鍵字：
IGBT模塊 混合動力車 電動汽車
- 摘要：簡要敘述了電力半導體模塊的發展過程，介紹了晶閘管智能模塊的結構和特性，描述了IGBT智能模塊的現狀和發展趨勢，指出了我國大力發展IPEM的必要性。
關鍵詞：電力半導體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊
一種新型器件的誕生往往使整個裝置系統面貌發生巨大改觀，促進電力電子技術向前發展。自1957年第一個晶閘管問世以來，經過40多年的開發和研究，已推出可關斷晶閘管(GTO)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導體器件，目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
- 關鍵字：
電力半導體模塊 智能晶閘管模塊 IGBT模塊 半導體材料
igbt模塊介紹
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件 [
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