0 引言 隨著國民經濟的發展和用電設備的不斷增加,對UPS容量的要求越來越大。大容量的UPS有兩種構成方式:一種是采用單臺大容量UPS;另一種是在UPS單機內部采用功率模塊N+m冗余并聯結構。前者的缺點是成本高
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余并聯 結構 Nm 模塊 逆變 UPS
隨著工藝技術向65nm以及更小尺寸的邁進,出現了兩類關鍵的開發問題:待機功耗和開發成本。這兩個問題在每一新的工藝節點上都非常突出,現在已經成為設計團隊面臨的主要問題。在設計方法上從專用集成電路(ASIC)和專
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FPGA 65 nm 芯片設計
電路的功能“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內移相,可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”相同,只是改
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180 90 變化 移相電路
電路的功能當用OP放大器進行高倍數AC放大時,若改變反饋電路的分壓比,使放大倍數改變,頻率特性也會大幅度地改變。本電路設有40、20、20、10DB增益固定的放大器,通過繼電器選用這些放大器,可使最大增益達90DB。本
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DB 10 40 90
隨著高速100-GbE 通信網絡標準的完成,交換功能在互聯網正常運行中扮演了重要角色。網絡總流量每6個月翻倍,通過多種協議進行傳送,網絡越來越復雜,交換體系結構面臨很大的挑戰。目前的單芯片體系結構無法滿足越來越大的帶寬和復雜度要求,因此,需要開發高效算法和交換體系結構,以滿足高速網絡需求。Stratix V FPGA 支持硬件設計人員在下一代交換機和路由器中集成100-GbE 元件,在系統中均衡的分配數據,確保QoS。
詳情參見 http://share.eepw.com.cn/share/downlo
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28-nm FPGA 100-GbE 交換
視頻和寬帶無線技術對帶寬越來越高的要求使得通信網絡承受了很大的壓力。目前的10-Gbit OTN 基礎設備通道容量接近了極限,面臨帶寬耗盡的問題。面對越來越高的資本支出和運營支出以及不斷下滑的利潤,服務提供商轉向了100-Gbit OTN 解決方案,將目前的10-Gbit 網絡容量提高10 倍。但是,還有很多在用的低速率OTN、SONET、以太網和存儲系統,這需要通過100-Gbit OTN 復用轉發器將這些系統置入到新的基礎光設施中。Altera Stratix V FPGA 系列采用了多項關鍵創新技術
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28-nm FPGA 100-Gbit OTN 復用轉發器
Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸,同時降低了系統功耗和成本
2010年4月20號,北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發布業界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力,采用各種創新技術和前沿28-nm工藝,降低了寬帶應用的成本和功耗。
Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進行制造,提供1
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Altera 28-nm Stratix V FPGA
人們對寬帶服務的帶寬要求越來越高,促使芯片供應商使用更多的高速串行收發器。因此,下一代應用采用了多種數據速率,從幾Mbps 到數百Gbps,在一種設備中集成了多種協議和服務。以太網等迅速發展的標準以及對提高
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FPGA ASIC 40 nm
實現世界上最先進的定制邏輯器件引言 Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標志著世界上首款40-nm FPGA和業界唯一 40-nm ASIC 無風險移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規劃和
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40 nm 工藝 定制
泰科電子宣布推出全新TMS-90-SCE熱縮標識系列產品。該系列產品能夠充分滿足從航空、國防、船舶、鐵路、公共交通到工業及電子等各行業領域對高性能電纜及線纜標記的需求。泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識系列產品的推出,為高溫環境下的作業帶來了可靠的機械強度、長時間高溫防護,以及強大的高溫防水性能。
泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識具備極高的耐用性,持久性。該產品所用材料為耐用、阻燃的輻射交聯熱縮均聚聚烯烴,適用溫度范圍為-55°C至+135°C。并且產品重量輕巧,收縮率
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泰科 電子 TMS-90-SCE 熱縮標識
? 為幫助設計人員提高集成度,進一步創新,Altera公司今天發布了業界的首款40-nm FPGA和HardCopy? ASIC。Stratix? IV FPGA和HardCopy IV ASIC都提供收發器,在密度、性能和低功耗上遙遙領先。Stratix IV系列有680K邏輯單元(LE),比Altera的Stratix III系列高2倍,是目前市場上密度最大的FPGA。HardCopy IV ASIC系列在密度上和Stratix IV器件等價,具有1330萬邏輯門。Alte
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Altera 40-nm FPGA ASIC
Avago Technologies(安華高科技)宣布,已經在65納米(nm) CMOS工藝技術上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續其在嵌入式SerDes技術的領導地位,Avago最新一代的工藝技術能夠節省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數的SerDes總出貨量,Avago在提供可靠高性能知識產權(IP)上擁有輝煌穩定的紀錄,現在更以65 nm工藝上經驗證的17 Gbps SerDes性能將
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嵌入式系統 單片機 安華高科技 65 nm CMOS 嵌入式
瑞薩科技公司宣布,開發出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC,這是業界第一個采用90 nm(納米)工藝并帶有片上閃存的微控制器,可用于汽車引擎、傳輸等控制程序的開發。樣品將從2007年10月開始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽車應用所需的125℃的高溫工作環境下實現200 MHz的業界最高運行速度。此外,它還采用了業界最大的片上閃存容量,可以實現領先的高精度的控制。 SH72546RFCC適用于控制程序開發,2008年瑞薩科技將根據SH7
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工業控制 瑞薩科技 90 nm SuperH 工業控制
中國制造的電子系統推動2005年全球半導體消費增長90%。這種趨勢在2003年首次被發現并延續至今。這是普華永道 (PricewaterhouseCoopers) 對在該課題上中國的和其它公布的統計數據進行全面分析后得到的論斷。 《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》(《中國對半導體行業的影響:2006最新分析》)首次
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90% 單片機 普華永道 嵌入式系統 全球半導體市場 增長 中國
ARM發布首款可即量產的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 ARM公司發布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存儲器接口,支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的9
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