- 據IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術，該產業的成本削減及節省步伐從2012年開始將放緩。
雖然最近幾個季度DRAM產業在推低光刻節點方面比較積極，但在今年剩余時間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產業的加權平均節點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
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DRAM 50納米
- 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存，支持英特爾即將對平板電腦和上網本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場的 理想存儲解決方案。
美光的2Gb DDR2產品過渡到更先進的 50 納米制程節點， 反映出美光對市場所需的技術的承諾和持續投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
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美光 50納米 DDR2
- 鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。
該芯片采用低電壓DDR2標準制造，可與英特爾開發代號Oak Trail的Atom系統協同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內存條，實現8億MT/s傳輸能力。
得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統的電源需求。
鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產出貨。
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鎂光 50納米 DDR2
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產能，引發各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發，今年將切入50、42納米制程，技術超越臺系廠商;對照先前65納米，生產成本優勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰。
三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產業淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續產業前景，有偏多的立場。
南亞科董事
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三星電子 DRAM NAND 50納米
- DRAM業在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴產應對。其中臺塑集團的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數成長。
南科、華亞科已邁入50納米制程技術階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長逾45%。南科預計，在第二季度時，旗下月產能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片，第三季度所有產品都采用50納米制程投片。
看好DDR3將成為2010年主流，南科計劃逐步提升DDR3產品的比重，目標由2009年第四季度的30%-40%提
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Elpida 50納米 DRAM 晶圓
- 一度缺席全球DRAM產業50納米制程大戰的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經過近1年臥薪嘗膽后，爾必達2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術已于廣島廠順利完成試產，良率水平優于預期，確定2010年可一舉進入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元，就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數轉到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營對戰煙硝味濃厚。
DRAM產業在50納米制程是重要分水嶺，除技術難度外，1臺動輒逾新臺幣
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Elpida DRAM 50納米
- 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準備沖刺先進制程，其中，南亞科10月中已全數轉換至 68納米制程，首批50納米產品已試產成功，目標2010年第2季全數轉至50納米制程，屆時將全數出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預計2010年第1季50納米制程量產，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產能全轉至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元，主要用于50納米制程。
南亞科和華亞科第3季營運表現明顯好轉，對于先
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南亞科 DRAM 50納米 DDR3 68納米
- 隨著DRAM價格自谷底翻揚，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉虧為盈好消息，具臺系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機會接棒，估計營收只要站上40億元大關，便可跨越損益平衡點、順利轉虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現金凈流入，南亞科自有產能亦開始有現金流入，臺系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。
相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開始量產，臺系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺、
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Hynix 50納米 DRAM
- 臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力，成本大幅降低的優勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰還是難免。
由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期，導致DDR3產能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內存模塊廠預測，今年第四季底，DDR2現貨價才有機會達到2美元，但根據集邦科技報
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南科 50納米 40納米 DRAM
- 韓國半導體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業利益，破除2007年第3季以來連續8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉虧為盈的廠商。
據業界預測，2009年第2季營業虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業利益2,540億韓元規模，而在2007年第3季以后，三星已連續7季營運呈現虧損。
分析指出，海力士營運改
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Hynix DRAM 50納米
- 據金融時報報道，盡管有跡象表明，臺灣的DRAM存儲芯片產業可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認為，臺灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔心臺灣DRAM存儲芯片公司是否能籌足現金，為工廠引進50納米技術。
DRAM芯片是每臺計算機不可缺少的部分，但該產業的過度擴張導致產品價格大幅下跌，過去三年累計虧損150億美元。
而經濟危機更加深了該行業的困境，唯一的歐洲領先DRAM存儲芯片廠商德國奇夢達今年破產。
臺灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
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TMC DRAM 50納米 存儲芯片 DDR3
- 臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產品已開始送樣，美光(Micron)產品亦趨近成熟，2010年將加入戰局，爾必達(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點出現世代交替斷層危機，公司內部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰點會是40納米制程技術。
三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉進50納米制程，且
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DRAM 40納米 60納米 50納米
- DRAM大廠華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價格訂為新臺幣14.5元，預期募集資金116億元，然近期股價受惠DRAM產業回春和DRAM價格反彈，因此一路上漲，最后完成定價，訂為每股約16.02元，與日前收盤價相較，則是折價約10%，預計可募得102.5億元資金，加速華亞科下半年將12寸晶圓廠到入50納米制程。
科技大廠法說會起跑，2009年DRAM產業由華亞科和南亞科打頭陣舉辦，將于本周登場，也是華亞科已公布第2季的營運數字，虧損縮小至41億元，南亞科估計虧損也將較第1季大幅減少，約
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DRAM 50納米 DDR3
- 據臺灣媒體報道，臺灣DRAM廠茂德科技董事會日前決議，與合作伙伴韓國海力士半導體 (Hynix)簽訂停止合作協議書。茂德表示，未來將轉與臺灣內存公司(TMC)等合作。
茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯盟合約，不僅延續雙方既有的技術合作伙伴關系，海力士將技轉50納米世代堆疊式DRAM制程技術給茂德;海力士還斥資新臺幣34.56億元，取得5.76億股茂德私募增資股。
此外，海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會董監事改選中，順利當選董事。
只是在茂德制程技術尚未推
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海力士 DRAM 50納米
- 日本記憶體大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄表示，爾必達近期獲得新資金後，將挪1000億日圓發展海外先進制程，包括與臺灣力晶合資的瑞晶，目標是聯手抗韓。
經濟日報電話專訪坂本指出，爾必達與即將成立的臺灣記憶體公司(TMC)的合作，不影響與既有合作伙伴力晶的友好關系，三方是“互補合作”。
對于日本政府在周二通過給予爾必達總額1400億日圓的注資及貸款當中，坂本表示，400億是具政府資金色彩，這部分必須留在日本作為廣島廠的資金運用;至于其他1000億元，爾必達會用來
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Elpida 50納米 消費電子
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