2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據市調機構TrendForce最新統計，2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。
2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多，最大影響當屬日本311東北強震，對
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三星電子 NAND
據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND Flash
單片型3D芯片集成技術與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯電路部分的延遲則會提升。舉例而言，90nm制程晶體管的延遲時間大約在 1.6ps左右，而此時互聯電路中每1mm長度尺寸的互聯線路，其延遲時間會
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TSV 研究 技術 集成 3D 芯片 單片
由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。
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三星 NAND 移動設備
5月6日-8日，深圳光電顯示周暨中國（國際）彩電節“CODECTVF2011”在深圳召開，作為專業顯示器展覽會，三星電子在本...
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由于智能型手機等行動裝置應用驅動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產業將持續供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數股權和產能，未來不排除再擴大NAND Flash產能，可行方案包括釋出代工權給華亞科生產，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
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美光 NAND
據韓國媒體報道，內存調研公司集邦科技發布最新研究數據，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災害中斷相關供應鏈后芯片價格的總體情況。
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閃存 NAND
東芝宣布其開發出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產。此次開發的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產品，還計劃推出3bit/單元產品和1bit/單元產品。不過，這些產品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。
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NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實現壞塊管理并且實現連續數據讀取的方法。
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上周，Intel和鎂光發表聯合聲明，正式推出采用20nm制程技術制造的NAND閃存芯片產品，并稱這款產品將于年內在IMFT屬下的工廠開始生產。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術的寶座，他們宣稱已經制造出了采用19nm制程技術的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設有一家合資芯片制造公司。
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據國外媒體報道，據臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發表的行業數據顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創7個月的新高，反應了在上個月日本發生嚴重的地震中斷了供應鏈之后其它存儲芯片價格的情況。
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NAND 閃存芯片
據華爾街日報(WSJ)報導指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領先業界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進一步縮小。
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英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進NAND Flash領域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機和投資，英特爾并未表態加入，引發外界對雙方合作關系，以及英特爾是否持續投資NAND Flash領域的質疑，預計雙方將對外宣布最新的合作動態。
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Intel與鎂光公司本周四將對NAND業務合作事宜作重要宣布，不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細內容是什么。據Web-Feet Research市調公司的CEO Alan Niebel分析：“我認為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設立的閃存芯片廠項目上的合作。這間工廠目前正計劃開始投產25nm制 程NAND閃存芯片，并隨后轉向20nm制程技術。”
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2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權銀行團接手并進行債務重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機內存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負5.9兆韓元(約54.46億美元)債務，該公司現任執行長權五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴產以及研發新技術。
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