編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議。可見，Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
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富士通 Spansion MCU NAND 201309
SEMICON Taiwan 2013國際半導體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機械及系統(tǒng)級封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極體)制程特展，同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業(yè)主參與，預料將成注目焦點。
國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
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半導體 3D
三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復雜且成本高昂，導致晶圓廠與封測業(yè)者遲遲難以導入量產(chǎn)。不過，近期半導體供應鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設備與材料解決方案，有助突破3DIC生產(chǎn)瓶頸，并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率，讓成本盡快達到市場甜蜜點。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍強調，3DIC材料占整體制程成本三成以上，足見其對終端晶片價格的影響性。
工研院材化所高寬頻先進構裝材料研究室研究員鄭志龍表示，高昂成本向來是3DIC
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晶圓 3D
三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來。
三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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三星 V-NAND
不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。
這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。
研究機構統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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半導體 NAND
據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
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IHS NAND
據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
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IHS SSD NAND HDD
半導體技術走向系統(tǒng)化，集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發(fā)展趨勢。2.5D IC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒，今年最重要的課題即在于如何提升其量產(chǎn)能力，以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產(chǎn)。
SiP Global Summit 2013(系統(tǒng)級封測國際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺灣最大半導體專業(yè)展覽SEMICON Taiwan 2013(國際半導體展)同期登場，特別邀請臺積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
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半導體 3D
國際半導體設備暨材料協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，半導體技術走向系統(tǒng)化，整合不同晶片堆疊而成的3D IC(立體堆疊晶片)將成為主流發(fā)展趨勢，2.5D IC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的解決方案大致已準備就緒，以期2014年能讓2.5D IC正式進入量產(chǎn)。
SEMI臺灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示，2.5D及3D IC制程解決方案已經(jīng)逐漸成熟，產(chǎn)業(yè)界目前面臨最大的挑戰(zhàn)是量產(chǎn)能力如何提升，業(yè)界預估明后
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3D IC
全球3D 打印領域的領先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領者——Stratasys公司(納斯達克代碼：SSYS)于日前宣布為巴黎時裝周帶來12 雙由 3D打印機制作的時裝鞋，亮相著名荷蘭設計師艾里斯?范?荷本的“狂野之心”(Wilderness Embodied)系列展。
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Stratasys 3D 打印機
全球 3D 打印領域的領先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領者—Stratasys公司(納斯達克代碼：SSYS)非常榮幸地宣布其董事會主席兼研發(fā)負責人Scott Crump于6月12日被制造工程師學會(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技術及增材制造(RTAM)行業(yè)杰出成就獎(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
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Stratasys 3D
日前，Alchimer, SA 宣布與法國研究機構CEA-Leti 達成協(xié)作合約，以評估和實施Alchimer為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專案將為隔離層、阻擋層和晶種層評估Alchimer 的Electrografting (eG?) 和Chemicalgrafting (cG?) 制程。
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Alchimer 3D TSV
據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預期落空，但明年的前景要光明得多。
SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計，2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設備營收將猛增21%。
當然，SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
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芯片制造 NAND
根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預計芯片制造設備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。
這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。
不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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芯片制造 NAND
導語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。
以下為文章全文：
重新掌握主動
隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場
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DRAM NAND
3d-nand介紹
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