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        3d nand 文章 最新資訊

        NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

        •   2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭,市占率高達(dá)36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達(dá)35.1%,兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計,2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%,營收成長9.9%,達(dá)53.63億美元。   2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多,最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震,對
        • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

        三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

        •   據(jù)了解,由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

        單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

        • 單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短,但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而言,90nm制程晶體管的延遲時間大約在 1.6ps左右,而此時互聯(lián)電路中每1mm長度尺寸的互聯(lián)線路,其延遲時間會
        • 關(guān)鍵字: TSV  研究  技術(shù)  集成  3D  芯片  單片  

        三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

        •   由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
        • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  移動設(shè)備  

        三星FULL HD全高清3D橫掃中國市場

        • 5月6日-8日,深圳光電顯示周暨中國(國際)彩電節(jié)“CODECTVF2011”在深圳召開,作為專業(yè)顯示器展覽會,三星電子在本...
        • 關(guān)鍵字: 3D  HD  

        美光:未來NAND Flash不求市占率但求低成本

        •   由于智能型手機(jī)等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長,加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%,美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求,除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能,未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能,可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn),或是啟動新加坡二廠。美光指出,未來NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。   
        • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

        4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

        •   據(jù)韓國媒體報道,內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù),今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平,一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。  
        • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  

        東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

        •   東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨,2011年第三季度(2011年7~9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品,還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過,這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。  
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

        NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

        • NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片,設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
        • 關(guān)鍵字: 結(jié)構(gòu)  分析  系統(tǒng)  存儲  Flash  嵌入式  NAND  

        東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

        •   上周,Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明,正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱,本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座,他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片,目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司。 
        • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

        NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

        •   據(jù)國外媒體報道,據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高,反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。   
        • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

        IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

        •   據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出,由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash,日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器,這也使得智能型手機(jī)和平板計算機(jī)里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。   
        • 關(guān)鍵字: Micron  NAND  

        英特爾和美光IM 廠合約將盡

        •   英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今,傳出5年合約已屆期滿,將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資,英特爾并未表態(tài)加入,引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系,以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑,預(yù)計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)。  
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

        Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

        •   Intel與鎂光公司本周四將對NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布,不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析:“我認(rèn)為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項目上的合作。這間工廠目前正計劃開始投產(chǎn)25nm制 程N(yùn)AND閃存芯片,并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)。”   
        • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  

        海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

        •   2001年海力士(Hynix)受景氣波及,遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整,時隔10年,海力士已成為全球第2大計算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此,海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù),該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時,目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款,并同時確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。 
        • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存芯片  NAND  
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        3d nand介紹

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