以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統中的應用,完成了硬件接口設計和軟件設計,并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
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K9F1208 Flash 3234A NAND
摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優勢迅速成為嵌入式系統存儲的新寵,因此其上的文件系統研究也日益廣泛,本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統YAFFS,并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進行在線測試。在給出測試結果的同時,著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進行分析,并提出改進方案和適用環境。
關鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
引 言
隨著嵌入式技術在各種電子產品中的廣泛應用,嵌入式系統中的數據存儲和管理已經成為一個重要
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NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
北京時間3月5日《商業周刊》文章指出,由于美國經濟衰退導致電腦和消費電子產品銷售增長減速,對英特爾的NAND閃存芯片業務的利潤造成很大壓力。
英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司,共同研發和生產一種名為NAND閃存的內存芯片,這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產品。兩年多來,英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。
全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布,它預計其第一季度毛利率將在54%左右,低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于:NAND閃存的價格低于預期水平。在第
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英特爾 NAND
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
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NAND NOR flash
在最近發生了產品種類短缺和平均銷售價格走平之后,NAND閃存市場可能會再一次崩潰。
據Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱,全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現在NAND閃存還沒有殺手應用。這些因素都會對NAND閃存市場產生影響。
Mok稱,蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動,導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過了需求的70%和價格的下降。
這位分析師稱,雖然自從2
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NAND 閃存 芯片
快閃內存產業的發展在2007年有點出乎各界意料,整個產業的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統的消費性電子產品旺季出現,反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。
TRI觀點:
2007年內存產業的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
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內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
據市場研究公司Gartner最新發表的研究報告稱,2008年全球半導體設備開支預計將達到403億美元,比2007年的448億美元減少9.9%。
Gartner半導體生產事業部副總裁KlausRinnen稱,2007年的特點是DRAM內存不顧供過于求的現實繼續加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復開支的狀況令人失望。在2008年,我們預計隨著DRAM內存市場將糾正資本開支的長期錯誤,半導體主要設備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經濟衰退而采取的謹慎態度都是造成20
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比特網(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據國外媒體報道,內存模塊制造商消息人士稱,NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面,這不僅對現貨市場造成了影響,而且還影響了12月份中下旬的產品合同價格。
12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%,平均為3.48美元,而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%,至6.52美元,而SLC芯片由于限制了的產量,價格沒有出現大幅滑落。
NAND閃存合同價格的下降,主要是由于蘋果每年戰略性削減其12月份的NAND
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NAND 閃存市場 存儲器
拓墣產業研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發表研究報告指出,2008年起,除了由原手持式消費電子產品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外,NAND Flash將通過NB與PC的采用,以混合式硬盤或固態硬盤(SSD)的產品型態,逐步擴大市場占有率,市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。
拓墣表示,NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域,從2004年產品應用比例最高的數碼相機,到2006年MP3 Pla
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NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
市場研究機構iSuppli以全球經濟不景氣為由,調低了2008年全球半導體市場銷售收入預期,不過對于整個市場形勢仍持樂觀態度。
據國外媒體報道,iSuppli的最新預期顯示,2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元,較2007年2709億美元(評估數據)增長7.5%,而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%,預期增幅減少了1.8個百分點。
iSuppli表示,2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響,美國經濟2008年的預期并不樂觀,而美國經濟的影響力自然會波及全球
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東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive:固態硬盤)產品,主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨,并同時開始量產。在此之前,東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規模的家電展中亮相該新產品。
目前的SSD,采用高速雙值NAND閃存,和HDD相比,高速、體積輕,但也存在容量小、成本高的問題,目前還沒有真正普及。因此,搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
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Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據三星日前的報告,我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續惡化,大多數DRAM供應商,尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現大幅削減。”
預計2008年,DRAM領域的資本開支將下滑超過30%,原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。
在DRAM市場經歷了漫長的低迷之后,該市場仍然存在嚴重的供過于求情況。“這主要由于按容量計
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嵌入式系統 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
據市場調研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。
ICInsights將調高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長:DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車相關的模擬IC(上升32%)。
ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平,將是連續第六年以兩位數的速度增長,創下前所未有的強勁增長紀錄。
ICInsights認為,
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很多廠商都設計出了未來的閃存技術,但誰能夠首先推出產品呢?
Spansion表示,其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術,這一技術為閃存產業繼續縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。
Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示,Spansion已經生產出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經啟動了一項營銷活動,希望向其它制造商許可一些技術。
伯特蘭說,三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術有很大的興趣。我們擁有這一
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市場調研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%,達到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋果iPod在內的消費電子產品需求刺激下的連續增長勢頭,本季度可能結束。由于產量增長速度快于需求,本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。
韓國海力士半導體第三季度增長最快,其NAND銷售額比第二季度大增79%,達到8.06億美元。它的市場份額是19%,在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子,市場份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數量
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