3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
關鍵字：
3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
關鍵字：
3D s深度傳感
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
關鍵字：
DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態影像變成數字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
關鍵字：
3D CPU GPU NVIDIA
TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面
(GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
關鍵字：
精密數模轉換器 霍爾效應傳感器 3D
按照摩爾定律進一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大，半導體工藝下一步發展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數級攀升，因此，業界開始向更多方向進行探索。
關鍵字：
摩爾定律 3D 堆疊技術
1? ?幾種3D深度感知技術比較3D深度感知主要有3個技術方向：雙目立體，結構光，飛行時間（ToF），結構光起步比較早，但是技術的局限性較大，而雙目立體的發展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結構光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產生特征點，來計算對象物深度的數據。結構光需要有一個發射光的發射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結構光的弱點是在室外時，結構光發射帶編碼的光經常受到環境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
關鍵字：
3D 雙目 深度
AMD展示了最新的運算與繪圖技術創新成果，以加速推動高效能運算產業體系的發展，涵蓋游戲、PC以及數據中心。AMD總裁暨執行長蘇姿豐博士發表AMD在高效能運算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術；與業界領導廠商特斯拉和三星合作，擴大了AMD運算與繪圖技術在汽車與手機市場的應用；新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領先的數據中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術。 AMD總裁暨執行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
關鍵字：
AMD 3D chiplet Ryzen
3D Xpoint技術是美光與英特爾共同開發的一種非易失性存儲技術。據悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲更多的數據成為可能，可填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。
關鍵字：
3D XPoint 美光 英特爾
作為傳感器領域風頭最勁的企業，ams（艾邁斯半導體）通過技術積累和持續的并購戰略逐漸成為各類傳感器領域的領導者，特別是經過收購歐司朗之后，進一步實現了公司業務規模的擴大和業務領域的平衡，使得ams在各個核心領域上都有非常好的市場地位。 經過對歐司朗的收購之后，ams聚焦在三大核心技術領域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區銷售和市場高級副總裁陳平路表示，隨著5G時代帶來的技術和產業的革新非常看好iToF、
關鍵字：
ams ArcSoft 3D dToF 安卓手機
作為全球工業機器視覺領域的領導者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺系統。這是一款采用3D激光位移技術的創新型智能相機，能幫助用戶快速、準確且經濟高效地解決自動化生產線上的一系列檢測應用難題。“一直以來，3D檢測系統對于大多數用戶來說面臨兩個問題：產品操作復雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業部經理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺系統很好的解決了這兩個痛點，其提供了大量的3D視覺工具套件，使3D檢測能夠像行業先進的In-
關鍵字：
In-Sight 3D-L4000視覺系統 嵌入式視覺系統 3D圖像處理 無斑點藍色激光光學元件 3D視覺工具
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存· 新一代產品包括5個系列共計6個尺寸TDK株式會社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產品，該產品擁有5個系列，并針對工業、醫療、智能電網、交通和安全等應用進行了優化。5個系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
關鍵字：
TDK 3D NAND 閃存 SSD
IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。
11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11
月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術，該技術具有 176
層存儲單元堆疊。新的
176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發的第二代產品，上一代 3D NAND 則是 128
層設計，算是美光的過渡節點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特
關鍵字：
美光 3D NAND
據國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術的部署。外媒是援引行業觀察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看，三星的3D芯片封裝技術名為“eXtended-Cube” ，簡稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術來
關鍵字：
三星 3D 芯片 封裝 臺積電
據臺灣媒體報道，三星電子成功研發3D晶圓封裝技術“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術，確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節
關鍵字：
三星 3D 晶圓 封裝
3d hal介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d hal!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d hal的理解，并與今后在此搜索3d hal的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473