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        3d dram 文章 最新資訊

        三星開始量產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片

        •   全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。   
        • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

        日本震后 DRAM現(xiàn)貨價(jià)轉(zhuǎn)趨觀望

        •   日本地震后2天期間,曾出現(xiàn)上升走勢的DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已轉(zhuǎn)趨觀望,由于日本半導(dǎo)體、LCD業(yè)者受損情況并不嚴(yán)重,依照恢復(fù)的情況,IT產(chǎn)業(yè)整體需求將會(huì)不同,因而市場上再度回到觀望的氣氛。   日前南韓各大廠紛紛預(yù)測DRAM價(jià)格將于2011年第1季觸底,三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)等與貿(mào)易商協(xié)商,可能會(huì)提高每個(gè)月進(jìn)行2次調(diào)整的部分合約價(jià)格。   在地震后短暫出現(xiàn)升幅的DRAM現(xiàn)貨價(jià)格又再度來到持平局面。外電引述DRAMeXange調(diào)查指出,最近DRAM主要產(chǎn)品DD
        • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

        集邦:3月下旬DRAM合約價(jià)漲3%

        •   集邦科技旗下DRAMeXchange認(rèn)為,在日本強(qiáng)震打亂供應(yīng)鏈,且電腦制造商即將為歐美返校需求備料下,3月下旬DRAM芯片合約價(jià)漲幅逾3%,預(yù)期漲勢將延續(xù)至4月。   
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

        日本地震矽晶圓對DRAM廠影響

        •   過去矽晶圓供給雖然偶有傳出吃緊聲浪,但從未像這次日本311強(qiáng)震把全球2大矽晶圓廠信越半導(dǎo)體和SUMCO都震出問題,甚至影響全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。 
        • 關(guān)鍵字: 矽晶圓  DRAM  

        3D電視價(jià)格戰(zhàn)硝煙漸起

        •   近日,國內(nèi)彩電品牌相繼推出普及型3D電視,42英寸3D電視的價(jià)格降至5000元內(nèi),價(jià)格門檻逐漸消失,3D電視開始具備普及的基礎(chǔ),但價(jià)格競爭也日趨激烈,業(yè)內(nèi)人士指廠商暫不會(huì)拿3D產(chǎn)品作為價(jià)格戰(zhàn)的武器。  
        • 關(guān)鍵字: 3D  液晶  

        海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

        •   全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱,它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。   海力士在聲明中稱,通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù),海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。   
        • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

        分析稱DRAM內(nèi)存芯片下半年將供貨短缺

        •   投資公司Raymond James & Associates日前發(fā)布報(bào)告稱,DRAM內(nèi)存芯片市場將在下半年出現(xiàn)供貨短缺的局面。DRAM芯片市場近一段時(shí)間表現(xiàn)低迷,需求降低,價(jià)格也大幅下滑。   
        • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

        3D電視即將步入普及

        •   近日,國內(nèi)彩電品牌相繼推出普及型3D電視,42英寸3D電視的價(jià)格降至5000元內(nèi),價(jià)格門檻逐漸消失,3D電視開始具備普及的基礎(chǔ),但價(jià)格競爭也日趨激烈,業(yè)內(nèi)人士指廠商暫不會(huì)拿3D產(chǎn)品作為價(jià)格戰(zhàn)的武器。   
        • 關(guān)鍵字: 創(chuàng)維  3D  

        爾必達(dá)擬將Mobile DRAM營收比重提高至5成

        •   智能型手機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM營收占日廠爾必達(dá)(Elpida)整體營收的比重可望在2010會(huì)計(jì)年度第4季(2011年1~3月)拉高至5成左右。在PC等產(chǎn)品用標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格低迷之際,提高M(jìn)obile DRAM營收比重將有助于其改善獲利情況。  
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

        爾必達(dá)希望分文不花整并臺日DRAM產(chǎn)業(yè)

        •   臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)集成議題沸沸揚(yáng)揚(yáng)多時(shí),爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄首度吐露真心話表示,假如臺、日DRAM產(chǎn)業(yè)雙方真的進(jìn)入集成及合并階段,爾必達(dá)并不希望花任何1毛錢,希望能用股權(quán)交換方式來進(jìn)行,若能集成成功,爾必達(dá)在全球市占率將可超過40%,直逼三星電子(SamsungElectronics)龍頭地位。至于臺廠龐大債權(quán)歸誰,爾必達(dá)內(nèi)部希望以債做股方式一筆勾銷,盼銀行團(tuán)能同意拿債權(quán)換股。業(yè)界對此認(rèn)為,爾必達(dá)這招頗有公開逼親意味。   爾必達(dá)這次來臺發(fā)行臺灣存托憑證(TDR),被業(yè)界視為臺、日DR
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

        爾必達(dá)擬調(diào)漲3月DRAM報(bào)價(jià)

        •   日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)的臺灣存托憑證(TDR)即將于25日,以每股新臺幣21.3元掛牌,預(yù)計(jì)籌得42.6億元資金,社長坂本幸雄在24日掛牌前法說會(huì)中指出,看好3月DRAM價(jià)格可逐漸上漲,爾必達(dá)也計(jì)劃在3月初調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià),初步規(guī)劃2GbDDR3芯片可調(diào)升至2.3~2.5美元,對于后市DRAM市場逐漸供需平衡的趨勢相當(dāng)樂觀。  
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

        爾必達(dá)稱發(fā)行臺灣存托憑證融資1.45億美元

        •   日本芯片制造商爾必達(dá)(Elpida Memory)周四宣布,已通過發(fā)行臺灣存托憑證(TDR)融資42億新臺幣(約合1.45億美元)。   爾必達(dá)總裁兼CEO坂本幸雄(Yukio Sakamoto)稱,這筆資金將主要用于開發(fā)和生產(chǎn)20納米和30納米芯片。   
        • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

        北斗牽手道道通 3D實(shí)景地圖隨心體驗(yàn)

        • 自汽車消費(fèi)刺激政策的退場便導(dǎo)致了2011年的車市注定以冷清開局,特別是在優(yōu)惠政策退出、車船稅提價(jià)、北京...
        • 關(guān)鍵字: 北斗  道道通  3D  導(dǎo)航儀  

        臺DRAM廠從與美日廠雙打淪為撿球員

        •   聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智表示,臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)錯(cuò)過最佳的DRAM產(chǎn)業(yè)集成時(shí)間點(diǎn)后,未來臺系DRAM廠與國際大廠之間的關(guān)系,從過去與它們打「雙打」的角色,變成美日大廠自己「單打」,臺廠恐淪為只有撿球的份;再者,TIMC將持續(xù)投入NAND Flash產(chǎn)業(yè)的專利開發(fā),希望能建立相關(guān)IP,為臺灣在快閃產(chǎn)存儲器領(lǐng)域上拿到1張入場券。   
        • 關(guān)鍵字: TIMC  DRAM  

        DRAM、NAND芯片現(xiàn)貨均價(jià)上周再度下滑

        •   市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價(jià)格此次的變化對整個(gè)市場有一定的影響。   
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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        3d dram介紹

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