- 8月21日晚，據紫光國芯發布的2017上半年財報顯示，公司上半年盈利1.23億元，同比下降17.86%。新產品開發方面，紫光國芯最新開發完成的NAND Flash已經開始了市場推廣，下一代DRAM產品開發進展順利。
作為中國半導體行業的龍頭企業，紫光國芯表示，受公司持續加大可編程系統芯片、存儲器芯片的研發投入等眾多因素的影響，使得上半年凈利潤下滑。
據了解，紫光國芯主營業務為集成電路芯片設計與銷售，并致力于向用戶提供先進的芯片設計產品以及專業的芯片解決方案。產品主要包括智能卡芯片、特種集成
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紫光 DRAM
- 今年以來，全球集成電路市場增長迅速，我國集成電路產業在國家政策引導、市場需求拉動的雙重作用下，繼續保持了平穩快速的發展。其中，頗具產業代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡稱“紫光國芯”)以“自主創新”與“國際合作”相結合的發展路徑，圍繞芯片設計核心業務，同時開拓了存儲器芯片、智能芯片等集成電路產品相關應用市場。
8月21日晚間，紫光國芯發布了2017上半年財報，財報顯示，公司上半年實現營收8.01億元，同比增長24.01%;歸
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紫光國芯 DRAM
- 雖然全球DRAM供應短缺的問題正得到逐步緩解，但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續迎來創紀錄的營收總值。
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DRAM 芯片
- 據臺灣經濟日報報道，大陸積極發展內存產業，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關鍵少數的重要性，業界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。
大陸的內存產業，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發動司法調查，緊盯三大廠竊取專利和營業秘密行為后，日前紫光已表態未來將朝自主研發前進。
另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯電合作，委托聯電開發DRAM相關制程技
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DRAM 聯電
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。
集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態;NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現，缺貨問題更嚴重。
業界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
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NAND DRAM
- 據臺灣經濟日報報道，大陸積極發展內存產業，但由于仍難突破三DRAM大廠的技術防線，在政策與時間壓力下，反而凸顯臺廠扮演關鍵少數的重要性，業界分析臺廠未來勢必成為大陸首要爭取合作的對象。
大陸的內存產業，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發動司法調查，緊盯三大廠竊取專利和營業秘密行為后，日前紫光已表態未來將朝自主研發前進。
另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊，仍如火如荼進行，并宣示明年要切入19nm生產DRAM;福建晉華則和聯電合作，委托聯電開發DRAM相關制程技
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DRAM SK海力士
- 集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第二季的DRAM產業營收表現再度創下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成，行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數量，價格僅小幅上漲5%內。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續轉進，大規模的擴張產能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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DRAM NOR
- 在海外并購道路障礙重重的情況下，我們通過培養積蓄人才來為中國創“芯”積攢力量，向2020年實現芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進，是更為有效地打破“缺芯”現狀實現自主替代的路徑。
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芯片 DRAM
- 根據市場研究調查機構 IC Insights 的預估，2017 年全球 IC 市場可望成長約 16%。 其中，在DRAM將成長更將達 55%，將是 2017 年中成長幅度最大的 IC 產品。
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IC Insights 表示，DRAM 市場 2013 年與 2014 年分別成長 32% 及 34%，也都是當年成長最大的 IC 產品領域。 統計過去 5 年，DRAM 市場經常是成長最大，或者衰退最大的 IC 產品項目，顯示 DRAM 市場變化極端的特性。 不過，DRAM 市
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DRAM IC
- 在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產6萬片12吋內存晶圓、年產值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產線一期項目開工儀式。
據資料顯示，晉華存儲器集成電路生產項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規劃面積594畝，預計于2018年9月達產。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產力布局規劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專項建設基金支持。
此項目堪稱晉江所有重
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晉華存儲 DRAM
- ,世界半導體貿易統計組織(WSTS)將半導體分為33個大類。近日，市場調研機構IC Insights給出了這33類產品在2017年市場狀況的預期。
33種IC產品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM，這并不意外，2017年上半年DRAM價格異常出色，IC Insights預計2017年DRAM總銷售額同比增長55%，從而成為半導體細分市場增長率冠軍。問鼎增長率冠軍對DRAM市場而言并不是新鮮事，2013年和2014年DRAM同樣引領整個產業增長。在過去5年，DRAM要么是增長率
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半導體 DRAM
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關電子委托制造廠，計劃調漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，漲勢可望延續至今年第4季，南亞科和華邦電等同步受惠。
存儲器業者強調，DRAM從去年起漲，主要受惠資料中心的服務器用DRAM需求強勁，加上網通類產品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構，帶動DRAM需求增加，但供給端因DRAM產業制程已接近極限，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下，
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三星 DRAM
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續供貨短缺，創下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存，更寫下史上最長漲勢。
內存業界表示，2008及2015年都出現過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產能會排擠，很少看到兩大內存同漲。
這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數據中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮
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三星 DRAM
- 近年來，隨著移動通信、物聯網、智能制造等領域的快速發展，存儲器產品的應用市場也隨之逐步開拓，市場需求越來越大。
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存儲器 DRAM
- 內存、固態盤這一年來不斷漲價，但究竟上漲到了什么程度呢?統計數據那是相當的嚇人。
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內存 DRAM
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