- 據TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU
Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL
1.1規格，而該規格可先實現的產品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce認為
- 關鍵字：
TrendForce 集邦咨詢 存儲器 CXL AI/ML DRAM
- 芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。創建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現有材料可能無法在所需厚度下實現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經受進一步處理。SPAR
- 關鍵字：
SPARC 先進邏輯 DRAM 沉積技術
- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
- 關鍵字：
集邦 DRAM NAND
- 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續沖擊消費市場需求，故優先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
- 關鍵字：
集邦 DRAM NAND
- 全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實現最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車規級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
- 關鍵字：
美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車載信息娛樂系統
- IT之家 7 月 18 日消息，日經新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產品的 DDR3 型的 4GB 內存連續 2 個月下跌。指標產品的 6 月大單優惠價環比下跌 1 成，創出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內存約為 2.18 美元 / 個，環比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
- 關鍵字：
DRAM 市場
- 在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正 俄烏戰爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務部公布的數據顯示，美國一季度G
- 關鍵字：
DRAM 半導體 市場
- 隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元。可見芯片將成為汽車新利潤增長點，有望成為引領半導體發展新驅動力。 汽車芯片從應用環節可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規模約52億美元，國內汽車存儲芯片市場規模
- 關鍵字：
北京君正 兆易創新 DRAM NAND
- 關鍵優勢：● 隨著 CPU 內核數量不斷增加，改進后的內存架構相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內存密集型工作負載[4]● DDR5 的創新架構改進和模組內建電源管理功能，有助于優化系統整體運行性能 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
- 關鍵字：
美光 數據中心 DRAM DDR5
- 近日，韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業長江存
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規模約占56%，NAND Flash市場規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
- 關鍵字：
存儲芯片 DRAM NAND Flash
- 國內半導體儲存器行業市場前景及現狀如何?半導體存儲器行業是全球集成電路產業規模最大的分支：半導體行業分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業，根據功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領域。2022半導體儲存器市場調研半導體儲存器行業前景及現狀分析 國內開始布局存儲產業規模化，中國大陸的存儲器公司陸續成立，存儲產業也取得明顯的進展。在半導體國產化的大趨勢下，國內存儲器行業有望迎來新的發展和機遇。 半導體儲存器行業產業鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網
- 關鍵字：
存儲 DRAM 市場
- 根據TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱，但先前DRAM原廠議價強勢，并未出現降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發生在需求相對穩健的服務器領域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續引發原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
- 關鍵字：
TrendForce DRAM
- 據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產品別如PC與智能型手機領域恐出現超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產業仍處于供過于求，因此即便
- 關鍵字：
TrendForce DRAM
- SK海力士宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。擁有當前業界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發成功到量產僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
- 關鍵字：
SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
1b dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條1b dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對1b dram的理解，并與今后在此搜索1b dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
