- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業界領先的非平面結構，它真正為移動系統級芯片(SoC)設計做了優化，能提供從晶體管到系統級的全方位產品解決方案。與目前20納米節點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現電池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
- 臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節點，而且可能會在2015年下半年量產。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數。
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臺積電 FinFET
- 隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
- 自從Intel正式對外公布22nm制程節點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態稱芯片代工市場在未來一段時間內(至少到下一個節點制程時)仍將采用傳統基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數幾套芯片產品，因此Intel方面要實現到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
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臺積電 Finfet
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