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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開(kāi)發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

要點(diǎn)：用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等兩家公司之間的長(zhǎng)期合作已成功實(shí)現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開(kāi)發(fā)，可應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開(kāi)展合作，開(kāi)發(fā)用于G
關(guān)鍵字：新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP

半導(dǎo)體代工廠(chǎng)格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進(jìn)的FinFET解決方案「12LP+」已通過(guò)技術(shù)驗(yàn)證，目前準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對(duì)AI訓(xùn)練以及推論應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。本解決方案建立于驗(yàn)證過(guò)的平臺(tái)上，具有強(qiáng)大的制造生態(tài)系統(tǒng)，可為芯片設(shè)計(jì)師帶來(lái)高效能的開(kāi)發(fā)體驗(yàn)，及快速的上市時(shí)間。為達(dá)到性能、功耗和面積的組合，12LP+導(dǎo)入了若干新功能，包含更新后的標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)、用于2.5D封裝的中介板，與一個(gè)低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內(nèi)
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晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠(chǎng)SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時(shí)間。
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