外媒報道，英特爾早前規劃，10nm工藝制程產品本應在2016年上半年面世，但后來被推遲到2016年第三季度?，F在，英特爾的10nm工藝制程產品量產時間恐怕要推遲至2017年下半年了。
英特爾發布第二季度財報后，英特爾CEO柯再奇確認，10nm Cannonlake平臺將推遲到2017年下半年，也就是足足再跳一年。
按照既定規劃，10nm本應在2016年上半年面世，但后來被推遲到2016年第三季度，而在它和現有14nm Skylake平臺之間增加了一個新的14nm Kaby Lake，這也是
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英特爾 10nm
以晶圓代工起家的臺積電稍早前發布消息稱，公司將在2017年量產10nm芯片，公司聯席CEO劉德音近日又在公司會議宣布7nm芯片的生產將在2018年啟動。公司董事長顧問蔣尚義對此解釋，臺積電目標就是要超越英特爾，成為全球技術最先進的芯片制造商。
近年來半導體業出現了一系列并購案，包括英特爾合并全球可程式邏輯晶片大廠之一Altera，英特爾并以15億美元投資手機晶片大廠展訊母公司清華紫光，持股比達20%。Altera和展訊均為臺積電先進制程的主要客戶，如今被英特爾并購和入股，按照英特爾“
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臺積電 10nm
半導體市場第2季需求明顯趨緩，但國際半導體設備材料產業協會(SEMI)公布2015年4月份北美半導體設備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中 有2個主要原因，一是記憶體廠力拚20奈米DRAM制程微縮及3D NAND擴產;二是晶圓代工廠10奈米制程競賽正式開打。
臺積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程已進入量產階段，雖然進度上落后三星14奈米FinFET制程，但臺積電信心滿滿，認為第3季產能快速拉升后，明年將可奪回14/16奈米FinFET制程市場占有率，且加計20奈米的市占率將在
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三星 10nm
稍早宣布更新的15寸MacBook Pro with Retina Display，確定仍維持使用Intel Haswell平臺的第四代Core i7系列處理器，顯示Intel確定選擇在Computex 2015期間正式解禁高效能表現的Broadwell平臺H系列處理器，以及兩款高階桌機版處理器。
另外就先前消息顯示，Intel預期在今年下半年于美國IDF 2015期間揭曉采用14nm制程技術生產的Skylake平臺處理器，分別將推出S系列、Y系列、U系列，以及H系列規格，藉此讓新款處理器能在2
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Intel 10nm
完全沒看出來ARM要往服務企業領域發展，還是在繼續強化移動設備領域，聽說ARM表示有相當信心維持領先地位同時也認為Intel即便加速追趕也無法造成明顯威脅。
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ARM 10nm
分享外資透露，臺積電共同執行長劉德音18日在美林論壇專題演講中指出，物聯網將是繼移動設備之后，半導體產業的成長新機會。臺積電先進制程也捎來喜訊，劉德音預估，2020年時10納米制程占臺積電總營收比重將達55%。
業界認為，物聯網商機龐大，估計至2020年時，可創造約500億顆芯片需求，臺積電身為全球晶圓代工龍頭，在物聯網應用的成熟制程已取得制高點位置，加上臺積電10納米先進制程可望成為2020年營收主力，追趕英特爾，在成熟與先進制程同步大躍進帶動下，臺積電后市看俏。
劉德音受邀在美林論壇以
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臺積電 10nm
外資圈17日傳出，因臺積電10納米制程技術大幅提升，先前在14納米制程琵琶別抱英特爾的阿爾特拉(Altera)，將在臺積電與英特爾中擇一作為10納米合作伙伴。外資法人認為，阿爾特拉訂單若重回臺積電懷抱，將是繼去年拿下蘋果A8訂單后的另一項利多題材，投資價值將進一步攀升。
臺積電各制程成本節省幅度
外資回頭買超臺積電
受此利多消息，外資昨天又回頭買超臺積電8，139張，暫時化解“賣臺積電、轉買三星”的潛在危機，臺積電昨天以2.05%漲
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臺積電 10nm
10納米級移動應用處理器(AP)戰火一觸即發，據傳英特爾(Intel)繼三星電子 (Samsung Electronics)之后，2015年將推出14納米移動AP Cherry Trail，英特爾與三星電子的移動AP之爭，勢將對業界龍頭高通(Qualcomm)產生威脅。
據Digital Times報導，日前業界傳出消息，指出繼應用14納米制程技術的Broadwell中央處理器(CPU)后，2015年內英特爾將再推移動AP Cherry Trail，目前已開始為制造商供貨，預定將在2015年中旬
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三星 10nm
晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)透露該公司將在2017年開始量產10納米制程，屆時將能與英特爾(Intel)并駕齊驅;“我們的10納米制程性能表現，包括速度、功率與密度，將會與我們認為英特爾為其10納米技術所定義的規格相當;”臺積電企業通訊部門總監Elizabeth Sun表示：“憑藉技術實力，我們認為能在10納米節點拉近差距。”
而臺積電首度 表示，今年預期將會有半導體產業界最大規模的資本支出，其目標是鞏固其晶圓代工市場領導地位，以對抗英特爾、三星
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臺積電 10nm
半導體技術可以說是人類社會發展速度最快的一項技術了，摩爾定律的魔力刺激著信息社會飛速發展，半導體的工藝制程現在已經邁入了驚人的14納米級別，誰還能想像到50年前笨重的晶體管時代?
不過在半導體工藝進入14nm之后，芯片的發展速度有變慢的趨勢。2014年，英特爾就在14納米工藝處理器的發布時間上放了大家鴿子，采用14nm工藝的Broadwell原本2014年年中發布，但實際上到今年才會實現量產。半導體工藝在進入10nm級別后就已經逼近硅基半導體的物理極限，制造成本和風險都在不斷提高，本來按照英特爾
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英特爾 10nm
如果認為英特爾推遲14nm，打破摩爾定律或者英特爾的節奏是個悲劇，那么這種看法才是真正的悲劇，因為摩爾定律本身是個總結性的現象，而非預測性的或者技術發展的本質規律。
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Intel 10nm
半導體工藝進入1xnm節點之后，各大巨頭都遭遇了嚴重的困難，尤其是Intel 14nm出現了前所未有的延遲，與計劃進度嚴重脫節，至今只有寥寥兩個產品線，今年下半年才會全面普及。
臺積電16nm原本寄予厚望，2015年初就要快速量產，結果連續跳票，現在看最快也得年底了，甚至得2016年。
三星14nm相對還好一些，起步雖晚但是進步很快，據說良品率提高很快，又拉上Global Foundries做同盟，已經贏得了蘋果、高通的芳心。
如果按照原先的Tick-Tock發展模式，后續進展順利的
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英特爾 10nm 臺積電
在工藝技術上，Intel一直保持著遙遙領先的節奏?，F在，10nm已經來了。
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Intel 10nm
在宣布將以16nm FinFET制程技術量產ARM 64位處理器后，臺積電再進一步與ARM攜手宣布，未來將透過10nm FinFET制程技術制作64位架構ARMv8-A處理器 ，預計最快在2015年第四季啟用此項技術，屆時將可支持各客戶采用10nm FinFET制程技術完成64位ARM架構處理器的設計定案。
進一步縮減制程技術后，預期將使相同架構處理器產品能以更少電功耗發揮更高的運作效能，或是更進一步縮減硬件產品體積、散熱所需空間等特性。
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ARM 10nm
半導體進入10奈米以下技術節點或三維(3D)結構時，將面臨嚴重的導孔偏移問題，所幸，設備商已研發出具備更高影像解析能力的微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)，可提供更清晰的對焦和更精細的量測影像，有效克服導孔對準挑戰。
多年來，業界一直使用微距量測掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進行量測，此種顯微鏡會射出電子束，與要掃描的材料作用，然后回傳訊號，再由量測機臺比對運算這些訊號。今日，針對小于10奈米(nm)的尺寸，CD-SEM或其他所有量測設備，必須處理更多的薄膜層、更高的縱橫比(HAR
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10nm 半導體
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