- 臺系DRAM廠陸續減產，帶動現貨價格止跌，14日2GbDDR3品牌晶片現貨價格大漲接近10%，也成功讓9月主流2GBDDR3模組合約價止跌，但4GBDDR3模組合約價仍是有跌價壓力，惟跌幅縮小至5%左右，目前合約價和現貨價價差已拉鋸至約12%，短期內有助于合約價格持續止穩。
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三星 DRAM
- Gartner近日發布報告稱，2011年全球半導體銷售額已經放慢，總營收約為2990億美元，比2010年下降了0.1%。這項新的報告比Gartner今年第二季度作出的預測有所變化，此前Gartner預測全球半導體銷售額今年會上漲5.1%。
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Gartner 半導體 DRAM
- 根據IHS公司近日發布的DRAM市場報告，隨著DRAM價格降到了極低的水平，如果廠商不轉向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領先的內存供應商已經采用了上述制程。
三星第三季度采用3x/2x制程進行的晶圓生產已占到29%，在所有主要DRAM廠商中處于最高水平。第三季度DRAM價格從一年多以前的6.50美元以上降到了1.60美元，如果廠商不趕緊轉向3x納米工藝，則在銷售2GB DDR3時可能遭受虧損。2GB DDR3是目前的主流DRAM類型。
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三星 DRAM
- 據IHS公司的DRAM市場報告，隨著DRAM價格降到了極低水平，如果廠商不轉向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領先的內存供應商已經采用了上述制程。
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三星 DRAM
- 2011年下半年，在即將形成的DRAM買方的夢想，隨著記憶體元件的價格一齊進入自由落體，根據市場研究公司IHS報告。
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IHS DRAM
- 由于市場需求仍持續低迷，以現階段DRAM總投片約1300K為基準來計算，至少需減產20%，才有機會讓市場供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價格至少到明年第2季后才能見到春燕歸來的跡象，而此時不景氣，也是各廠整并或合作的最佳時機，才能夠因應市場成長放緩的挑戰。
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瑞晶 DRAM
- 由于市場需求仍持續低迷，以現階段DRAM總投片約1300K為基準來計算，至少需減產20%，才有機會讓市場供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入Wafer Bank中的庫存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價格至少到明年第2季后才能見到春燕歸來的跡象，而此時不景氣，也是各廠整并或合作的最佳時機，才能夠因應市場成長放緩的挑戰。
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瑞晶 DRAM
- 惠普(HP)釋出要切割個人計算機事業部門的消息，對臺灣計算機產業鏈的影響為何，經濟部正持續評估，不過，經濟部次長黃重球指出，如果是由三星取得，臺灣的代工業仍不易被取代，但對面板和動態隨機存取存儲器(DRAM)產業則較堪憂。
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三星 DRAM
- 據IHS iSuppli公司的DRAM市場報告，第三季度DRAM市場將面臨供應嚴重過剩和價格下滑的局面，導致下半年DRAM供應商陷入困境。
主流DRAM產品——2Gb DDR3的平均銷售價格預計第三季度將降到1.60美元，比第二季度的2.10美元下降24%。這將是今年的最大降幅，此前在第二季度表現異常堅挺，價格只比第一季度下降5%，如圖4所示。第四季度價格可能進一步下降22%至1.25美元，接近許多生產商的現金成本。一年前的第三季度，價格還保持在4.70美元。
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iSuppli DRAM DDR3
- 據IHS公司的移動與嵌入內存市場報告，第一季度移動DRAM銷售額首次突破了20億美元大關，突顯智能手機、手持游戲機和平板電腦等移動平臺的重要性日益增強。
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三星電子 DRAM
- 根據市場研究公司DRAMeXchange(集邦科技)發布的最新報告數據顯示，今年第二季度全球DRAM芯片市場收入為81億美元。
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DRAM 芯片
- 北京時間8月11日凌晨消息，市場調研公司集邦科技周三發布報告稱，二季度全球DRAM芯片市場營收為81億美元。
盡管日本地震對供應鏈造成的破壞使得DRAM芯片的平均價格小幅上漲，但是茂德初始晶圓產能的減產和力晶非DRAM產品產能的增加導致了二季度整體營收相比一季度降低1.9%。
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DRAM 晶圓
- 爾必達發布了2011財年第一季度(2011年4～6月)結算報告。受DRAM價格大幅下滑影響，該公司第一季度仍持續營業虧損狀態。但爾必達指出，即便在困境中還是確保了其領先于競爭對手的技術優勢，并指出了其他競爭公司將被甩在后邊的可能性。
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爾必達 DRAM
- 北京時間8月8日晚間消息，爾必達周一表示，由于市場對PC的需求表現疲軟，因此正考慮削減DRAM芯片的產量。爾必達周一報告稱，在截至今年6月的第一財季中出現凈虧損。
作為日本唯一一家DRAM芯片廠商，爾必達今年第一財季凈虧損78.7億日元(約合1.004億美元)，而去年同期為凈盈利306.7億日元。
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爾必達 DRAM
- 日本存儲器大廠爾必達(Elpida)公布，已于2011年7月試產25納米(nm)的2GB DDR3 SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」樣品。該公司為全球首家推出25納米DRAM的企業，芯片面積也是世界最小。
爾必達表示，25納米制程技術早于5月研發完成，本次是公布產品順利生產。25納米DRAM傳送資料的速率將比30納米更快，1針腳即有1,866Mb/秒以上，且待機耗電量減少20%。
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爾必達 25納米 DRAM
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