這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續處于地位，內存、SSD硬盤產品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠仍然會延續減產策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場在2023年已經處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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內存 閃存
近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
IT之家 8 月 18 日消息，據 DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過 300 層。報道稱，這將使三星的進度超過 SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產三層堆棧架構的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產第 7 代 V-NAND 閃存芯片。▲ 圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構指在 300mm 晶圓上生產一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上建立另一個堆棧。
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三星 閃存
6月1日，鎧俠宣布開始運營兩個新的研發設施——位于橫濱技術園區的旗艦大樓和Shin Koyasu技術前沿——以加強公司在閃存和固態硬盤（SSD）方面的研發能力。未來，神奈川縣的其他研發職能將轉移到這些新的研發中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區的規模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴大其評估閃存和SSD產品的能力，從而提高整體產品開發和產品質量。Shin Koyasu技術前沿將成為半導體領域尖端基礎研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進的潔凈室。除了下一代存儲技術，鎧俠還從事其
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鎧俠 閃存 SSD
據中國臺灣《經濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內的主要客戶，目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場持續呈現疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
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NAND 閃存 主控芯片
【2023 年 4 月 25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣（E/E）架構。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區域控制器提供至關重要的安全、可靠和實時的代碼執行。該器件的性能是當前NOR 閃存的8 倍，實時應用程序的隨機讀取事務速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強安全性和架構靈活性的高級功能。 下一代汽車更智能、更網聯、更復雜，并
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英飛凌 LPDDR 閃存 汽車電子
IT之家 4 月 23 日消息，隨著各大車企都轉向軟件定義的汽車架構，下一代車型的設計卻在內存方面面臨著問題。由于許多原因，傳統的 xSPI NOR 閃存已逐漸無法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區域架構的新需求，英飛凌科技宣布推出業界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結合在一起，從而實現了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴展性。據介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應用于
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英飛凌 LPDDR 閃存
【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產品。這種存儲器經過專門優化，適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監測儀、無人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業應用不斷涌現，有助于實現精準跟蹤、記錄關鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進的功能和使用場景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據Omdia 數據顯示，藍牙耳
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英飛凌 SEMPER Nano NOR Flash 閃存
據中國臺灣《經濟日報》報道，針對市場關注的存儲產業景氣，群聯電子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC設計很辛苦，不過在原廠賠本賣的狀況下，不認為這樣的狀態會持續太久，且因為快閃存儲器價格便宜，看到需求倍數增加中。潘健成表示，現階段原廠做1顆賠2、3顆，這樣的狀況不會太久，可能很快會有公司宣布減產，而控制器設計因為景氣不好停頓了6-9個月，但群聯在市場好的時候，存了不少冬糧，并且正向看待市場對快閃存儲器需求和應用會越用越多，新的制程也會愈來愈多。而據TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，NAND Fl
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群聯 閃存
3月23日，長江存儲首席運營官程衛華對外表示，預計2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%。進入2023年第一季度，集邦咨詢指出，鎧俠、美光產線持續低負載，西部數據、SK海力士將跟進減產，有機會緩解目前供給過剩的情況，NAND Flash均價跌幅也將收斂至10~15%。經歷過2022年“寒冬”之后，
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存儲 閃存
隨著閃存從SLC、MLC向TLC、QLC升級，P/E寫入壽命越來越短，從之前的萬次以上減少到如今千次內，好在對一些工控領域來說，廠商還會專門打造超耐用SSD，國產SSD廠商綠芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盤，擁有多達30萬次的P/E壽命。ArmourDrive EX系列硬盤有mSATA及SATA M.2 2242兩種規格，支持EnduroSLC技術，P/E壽命根據不同容量在60K、120K及300K之間——也就是最高30萬次，這個性能比早期的SLC閃存還要耐用，后
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閃存 綠芯科技 SSD
在閃存領域突飛猛進的長江存儲，還是遭到了美國的制裁，被列入“實體清單”，幾乎是同一時間，三星就開始漲價了！DigiTimes報道稱， 隨著長江存儲遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對突然增加的市場需求，三星將其3D NAND閃存的報價提高了10％。當然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數據也有機會獲得更多市場，但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應商，今年第二季度份額為33％ ，雖然下跌了2.3個百分點但依然遙遙領先。 相比之下，SK
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閃存 長江存儲 三星
2022年內存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價了，2TB不到700元，但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受，三星已經開始出手逆轉價格，12月份閃存漲價10%。據電子時報援引供應鏈消息，雖然市場需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調NAND閃存價格，其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領先其他廠商。a收購Intel閃存業務之后，SK海力士成立了
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SSD 閃存 三星 SK海力士 美光
Intel把閃存業務賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費級/企業級品牌，關系類似于美光和英睿達。日前在Tech Field Day 2022技術峰會上，Solidigm預覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）。看來Intel此前的QLC技術積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會取代它。顯然最重要的原因還是成本效應，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。
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英特爾 SK海力士 閃存
華為全聯接大會2022中國深圳站期間上， 華為發布業界首個面向數據中心Diskless架構的微存儲——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數據中心 。據了解，華為OceanStor Micro微存儲本質上是傳統盤框的智能化升級，以基于NOF+技術的高速網絡連接Diskless服務器，支持上層分布式軟件的透明訪問，實現計算和存儲資源獨立彈性擴展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲領域總裁黃濤詳細闡述了OceanStor Micro微存儲的創新設計理念。他
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華為 微存儲 閃存
閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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