- DC-DC是一種新研制的小型化電源開關模塊，它是采用微電子技術，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設計縮短研制周期，實現最佳指標等，可廣泛應用于各類數字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關DC-DC電源設計方案及優化方案。
隔離型全橋DC-DC電源的設計方案
本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅動及保護。并且在實踐設計時，需要根據選擇
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元器件 IGBT 智能儀器
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商， 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機驅動逆變器、開關模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應用等高功率工業應用。
全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(包括非擊穿平面柵極和場截止溝道柵極技術)及成熟的二極管技術，提供一系列穩健的高效模塊。這些產品采用了行業標準封裝，加上寬泛的配置及電流額定值范圍，有助于設計師靈活、輕易地部署高功率系統。這72款模塊提供600V或1200V
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國際整流器 IGBT
- 上海先進半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰略產業聯盟合作協議”簽約，上海先進總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協議書上簽字，上海先進董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示，通過雙方戰略聯盟的合作，在充分利用各自競爭優勢基礎上聯手打造出具有核心競爭力的國產化IGBT大規模商用產業生態鏈。
據悉，戰略產業聯盟合作主要包括4個方面：一是通過成立聯盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產業鏈;二是簽訂合
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北車 IGBT
- 在大規模的分布式可再生能源發電中，變頻器在電力電子技術與信息通訊技術雙方面都扮演著重要的角色。據發布的數據顯示，全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規模。預測今后5年該規模將會倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統節電率達30%左右，甚至40%～60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國內IGBT市場仍主要由外資企業所把控，擁有技術優勢的企業有望率先實現進口替代。
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變頻器工業 IGBT
- 近日，三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年PCIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發展趨勢。
IGBT芯片發展進程
IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來，就FOM(優點指數)來說，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術包括：精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(如三菱電機的CSTBT)，以及薄晶圓的開發等等。如今，三菱電機的IGBT芯片已經踏入第7代，正朝第8代邁進。
隨著產品的更新換代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80
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三菱電機 IGBT 晶圓 201408
- IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢，是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發展，在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統和新興領域，市場前景廣闊。
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半導體 IGBT
- IGBT
是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點。基于技術和功能上的優勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢。IGBT能夠實現節能減排，具有很好的環境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應
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半導體 IGBT
- IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點。基于技術和功能上的優勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢。IGBT能夠實現節能減排，具有很好的環境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應用發展的必然
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功率器件 IGBT
- 意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。
意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至最低，在20k
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意法半導體 IGBT H系列
- IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發生鎖定現象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關斷技術，因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。
IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態要求，這使得它的驅
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LED 驅動 IGBT
- 6月20日上午，被業界認為現代變流工業“皇冠上的明珠”的關鍵 技術在中國南車取得產業化突破：公司投資近15億元的IGBT產業化基地建成并即將投產。這是國內首條、世界第二條8英寸IGBT專業芯片生產線，首期將實現年產12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產100萬只IGBT模塊，真正實現IGBT的國產化。它的投產，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。
國家多部委關注IGBT研發
IGBT，是一種實現電能轉換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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IGBT 芯片
- 我國南車株洲所8英寸IGBT專業芯片生產線建成，真正實現國產化，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷......
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IGBT 芯片
- 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷，對保障國民經濟安全和推動節能減排具有重大戰略意義。
與微電子技術中芯片技術一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應用于船舶、高壓電網、軌道交通等大功率電力驅動設備中。
IGBT芯
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IGBT 電力電子
- (飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。)
(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經200多道工藝、由數6萬個“細胞”完成。)
(中國南車株洲所功率半導體器件生產區域。)
(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。)
紅網長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發達國家玩轉的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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IGBT 芯片
- 據Yole Developpement市場調查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關鍵指標。
IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關鍵，例如機
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IGBT Mentor EV/HEV 201406
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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