- 全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange的數據表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。
東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術和產品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產品,并且東芝的技術動向,也在引領未來閃存的發展趨勢。
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東芝 NAND 閃存 3D 201501
- 不久前,Spansion宣布面向嵌入式系統的全新工業級e.MMC產品系列。眾所周知,Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產品。至此,我們為SLC NAND解決方案發展了一個強大的客戶群,而且我們還發現,這些客戶對嵌入式集中規模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現成”產品的嵌入式客戶而言,Spansion全新的e.MMC系列產品是一個完美的選擇。
作為Spansion第一款管理型NAND產品系
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Spansion NAND
- 固態硬碟(SSD)戰火正熱,持續成為2015年產業焦點,NAND Flash控制芯片業者為了布局上游半導體大廠,使出渾身解數綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。
慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內嵌式存儲器eMMC業務外,有機會延伸至SSD產品線上,2015年更是關鍵年,慧榮內部極度重視SSD產品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標,看好公司營運
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- NAND閃存已經成為固態存儲的霸主,不過它也存在諸多問題,尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短,TLC格式也引發了諸多質疑,因此研發一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。
從FRAM到相變式存儲器,新選手不斷涌現,但目前還未能挑戰NAND的地位。直到最近,名為電阻式RAM的新貴出現了,它最被看好,三星、閃迪等巨頭都在投入,不過,走在最前列的是一家美國創業公司Crossbar。
RRAM相較于NAND最大的優勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別,Crossba
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- 記憶體市況今年將不同調;動態隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。
DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。
臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創歷史新高紀錄。
NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預料;去年下半
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- 據國外媒體報道,東芝首席執行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示,公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內存芯片工廠,并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區。
東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠,田中久雄在接受采訪時稱,需求超過了產能,公司必須擴大產能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產品。
田中久雄稱:“三星已經在中國西安市建廠,海力士也在中國建了一座生產廠。”當被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區時,他補充說
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- 智能手機全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數據時代到來等,都將大幅增加對NAND型記憶卡的需求。
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- 在設計及推廣用于固態存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統設計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。
FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車載IVI系統等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤驅動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業界領先的控制器并采用小尺寸BGA封裝,FerriSSD解決方案與傳統的硬盤驅動器相比不僅運行速度更
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慧榮科技 NAND BGA
- 由于閃存技術的發展,閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升,但縱觀整個計算架構,閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意,并且隨著工藝水平的提升,其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產線已經達到15nm的水平,存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術。
日前,鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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NAND MLC TLC
- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究顯示,美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后,不再采取積極價格戰,使得原廠間戰火稍緩。另一方面,因模組廠預期此波價格跌勢將持續,再加上手中庫存仍充足下,大多傾向12月月底再進行采購談判,以爭取更優惠的價格。因此,12月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示,在歐美圣誕節備貨動能正式結束后,受到季節性因素影響,預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
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- 韓國時報(Korea Times)15 日報導,三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜,或相當于 120 億美元,稍高于今年的 13 兆韓圜。
全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持,三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出,三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩定與市場供需平衡。
據報導,三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加,因此考慮明年在大陸西安開設新廠房。除此之外,有鑒于 DRAM 的需求平穩,
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三星 SK 海力士 美光 NAND
- 2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續、快速更新的帶動下表現出價格穩定、需求強勁的發展態勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下,新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流,三星、東芝這些存儲行業大牌的表現尤為出色。據市場調研機構TrendForce最新報告,2014年第三季度東芝NAND Flash產品營收環比大增23.7%,穩居世界前二位,其中15nm新制程的產出比重持續增加。
在今年的高交會上,記者也對東芝新制程的存儲
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- NAND會不會徹底占據數據中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預測顯示,磁盤的發展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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- Investor.com 3日報導,花旗發表研究報告指出,三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量,這會提高市場對SanDisk產品的需求。
費城半導體指數成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創7月16日以來收盤新高。
根據報告,花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
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- TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示, NAND Flash 成本隨著制程演進而持續下滑,各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續成長,估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%,至276億美元。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示,由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季,相較之下上半年缺少新產品刺激市場,受淡季效應影響情況將較為顯著,因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局,也就是
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