- 三星憑藉著技術優勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩。
市調機構DRAMeXchange最新數據顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經濟日報)
同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。
剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
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三星 NAND
- 驅動程序識別設備時，有以下兩種方法： (1)驅動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅動程序時，就可以根據這些信息來識別設備?！ ?2)驅動程序本身沒有設備信息，但是內核中已經(或以后)根據其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動程序時，將驅動程序與這些設備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動程序與某個設備匹配，就可以通過該驅動程序來操作這個設備了。 內核常使用第二種方法來識別設備，這可以將各種設備集中在一個文件中管理，當開發板的配置改變時，便于修改代碼。在內核文件incl
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NAND 驅動
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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NAND Flash 英特爾
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠商持續以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
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SSD NAND
- 日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現亮眼。
東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業獲利超出預期。
平田表示，在當今智能手機大打硬件規格戰，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據日經調查，目前市況單一標準規格存儲器約3美元，價格
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東芝 NAND
- 據韓國經濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產的48層3D NAND Flash產品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產;以12吋晶圓計算的月產能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產比重也將提高至整體NAND Flash的15%。
業界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產48層產品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產的業者。
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SK海力士 NAND
- 根據彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業務的營收成長，加上撙節計畫的奏效，日本最大半導體生產公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業利益上調 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經完全走出過去因作假帳所造成的經營低潮期。
根據報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營業利益之外，還同時微幅上調了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據彭博社的統計資料顯示
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東芝 NAND
- 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優先選擇。
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3D NAND SSD
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產品開發設計保駕護航
以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內存大廠對3D NAND創新技術的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態硬盤(SSD)爆發成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發性內存高速規格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
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NAND SSD
- 嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統，并闡述具體的設計思想。
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Flash NAND FAT 文件系統
- 隨著近段時間以來，固態硬盤、內存條甚至優盤等存儲設備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設備漲價的背后關鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業內人士，反復解讀。
那么，在價格上起著關鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。
閃存顆粒的釋義及廠商
閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單
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NAND 存儲器
- 隨著嵌入式系統產品的發展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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SSD 3D NAND
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。
要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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Nand Flash 寄存器
第九代 v-nand介紹
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