《科創板日報》23日訊，北京大學電子學院碳基電子學研究中心彭練矛-張志勇團隊，在下一代芯片技術領域取得突破，成功研發出世界首個基于碳納米管的張量處理器芯片（TPU）。該芯片由3000個碳納米管場效應晶體管組成，能夠高效執行卷積運算和矩陣乘法。實驗表明，基于該TPU的五層卷積神經網絡可以在功耗僅為295μW的情況下，實現高達88%的MNIST圖像識別準確率。
關鍵字：
TPU 碳納米管
集成電路的發展要求互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管在持續縮減尺寸的同時提升性能，降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術節點，采用新結構或新材料對抗場效應晶體管中的短溝道效應、進一步提升器件能量利用效率變得愈加重要。在諸多新型半導體材料中，半導體碳納米管具有超高的電子和空穴遷移率、原子尺度的厚度和穩定的結構，是構建高性能CMOS器件的理想溝道材料。已公開的理論計算和實驗結果均表明，碳管CMOS晶體管采用平面結構即可縮減到5nm柵長，且較同等柵長的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能-
關鍵字：
北大 高密度半導體 碳納米管
日媒稱，碳納米管研究意在代替硅制半導體，該領域主要由中美的大學和新創企業拉動研究，而碳納米管的發現國日本的存在感卻正在下降。據《日本經濟新聞》11月28日報道，直徑為1納米左右的碳納米管被發現具備重量輕且強韌的特色，在導電性等方面也具備有趣的性能，1991年，由日本名城大學終身教授飯島澄男在任職于日本電氣公司（NEC）時發現。
關鍵字：
半導體新材料 日本 碳納米管
英國《自然》雜志日前發表了一項計算科學最新進展：美國麻省理工學院團隊利用14000多個碳納米管晶體管，制造出16位微處理器，并生成這樣一條信息。其設計和制造方法克服了之前與碳納米管相關的挑戰，將為先進微電子裝置中的硅帶來一種高效能替代品。
關鍵字：
碳納米管 微處理器 硅晶體管
日前，由教育部科學技術委員會組織評選的2017年度“中國高等學校十大科技進展”經過高校申報和公示、形式審查、學部初評、項目終審等評審流程后在京揭曉。
由北京大學申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。
?
芯片是信息時代的基礎與推動力，現有CMOS技術將觸碰其極限。碳納米管技術被認為是后摩爾時代的重要選項。
理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實現三維集成，系統層面的綜合優勢將高達上千
關鍵字：
CMOS 碳納米管
據懷新資訊報道，日前北京大學信息科學技術學院通過對碳管材料、器件結構/工藝和電路版圖的優化，在世界上首次實現工作在千兆赫茲頻率的碳納米管集成電路，有力推動了碳納米管電子學的發展。碳納米管被認為是構建亞10m晶體管的理想材料;理論和實驗研究均表明相較硅基器件而言，其具有5-10倍的本征速度和功耗優勢，性能接近由量子測不準原理所決定的電子開關的極限，有望滿足后摩爾時代集成電路的發展需求。
關鍵字：
集成電路 碳納米管
鋰離子電池新型負極材料的改進與研究-本文著重介紹了鋰離子電池負極材料金屬基（Sn基材料、Si基材料）、鈦酸鋰、碳材料（碳納米管、石墨烯等）的性能、優缺點及改進方法，并對這些負極材料的應用作了進一步展望。
關鍵字：
鋰離子電池 石墨烯 碳納米管
北京6月28日電(記者王健 魏夢佳)當人類生活越來越離不開手機、電腦等電子產品時，這些產品的核心部件芯片正面臨著性能極限的逼近。
好在科學家們正在探索用新材料來替代硅制造芯片，從而沖破芯片的物理極限。在這方面，中國科學家已經走在了世界前列，這也為中國芯片產業的換道超車提供了可能。
北京大學電子系教授彭練矛帶領團隊成功使用新材料碳納米管制造出芯片的核心元器件——晶體管，其工作速度3倍于英特爾最先進的14納米商用硅材料晶體管，能耗只有其四分之一。該成果于今年初刊登于美國
關鍵字：
芯片 碳納米管
碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優勢，被認為是未來最有可能替代現有硅基集成電路，延續摩爾定理的信息器件技術之一。經過近20年的研究，碳納米管電子學在器件物理、器件制備和優化、簡單集成電路和系統演示方面取得長足進展。
然而，受限于材料和加工工藝問題，碳納米管晶體管的制備規模、成品率和均勻性始終難以達到較高水平，限制了碳納米管集成電路技術進一步向產業化發展。
近 期，在北京市科委支持下，北京大學彭練矛教授團隊針對如何將碳納米管從晶體管推向集成電路的世界性難題開展系統研究，取得重大進展。
關鍵字：
碳納米管 集成電路
據外媒報道，碳納米管屬于一種超級材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級計算機到效能比更高的智能手機在內的許多夢幻般應用。問題是，它們不容易制造，推出商業化碳納米管產品可能尚需10-15年。
碳納米管是由碳元素構成的一種管狀分子結構。特別是，碳納米管(在1991年被偶然發現)以優異的電氣和機械性能聞名。這些性能來自碳納米管的結構。在納米管中，碳原子以六邊形螺旋的方式排列。
帕利克爾·阿賈儼(Pulickel M
關鍵字：
碳納米管 硅晶體
因為某些關鍵市場起飛速度會比預期來得快，而且其報酬不容易被均分，碳奈米管(CNT)的第二波整并風潮可能會發生。
碳奈米管 (Carbon nanotubes，CNT)一度成為市場上的當紅炸子雞，因為它似乎能成為一種改變無數產業的革命性材料，甚至能幫我們打造出通往月球的電梯;但是，隨 著它努力朝商業化道路前進，這種技術后來受到的關注越來越少，特別是有一種似乎更具潛力的新技術──石墨烯(graphene)冒出頭之后。
盡管如此，CNT技術目前正穩定發展而且悄悄重整旗鼓;未經純化(un-puri
關鍵字：
碳納米管
單壁碳納米管(swcnt)因碳原子排布方式不同可表現為金屬性或半導體性，其中半導體性swcnt具有納米尺度、良好的結構穩定性、可調的帶隙和高載流子遷移率，被認為是構建高性能場效應晶體管的理想溝道材料，并可望在新一代柔性電子器件中獲得應用。然而，金屬性和半導體性swcnt的結構和生成能差異細微，通常制備得到的碳納米管中含有約三分之一金屬性和三分之二半導體性swcnt，這種不同導電屬性swcnt的混合物無法用于高性能電子器件的構建。因此，高質量半導體性swcnt的可控制備是當前碳納米管研究的重點和難點。
關鍵字：
半導體性 碳納米管
為了研究單根碳納米管的性質和器件性能，以及操縱碳納米管從而得到某種特殊的結構，人們往往需要在光學顯微鏡下定位某個碳納米管才能進行光譜表征和器件構筑。傳統的使用掃描電子顯微鏡來標記定位的方法較為繁瑣且易污染碳納米管。納米材料的光學可見化可以滿足人們的需求。而已有的在碳納米管表面沉積金屬或氧化物納米顆粒的方法，雖然實現了光學顯微鏡下的可見化，卻可能導致碳納米管的性能退化，不利于碳納米管本征物性的探索。
尤其是碳納米管優異的性質極易受到周圍環境的影響，以往使用混合樣品研究碳納米管的物理性質，往往只能得
關鍵字：
碳納米管
自從NEC研究人員飯島澄男(Sumio Iijima )在1991年首度發現碳奈米管(CNT)后，這方面的研究一直持續進展。他形容碳奈米管是繼石墨稀、鉆石以及富勒烯(fullerenes;巴克球Buckyballs)之后碳的第四種形式。基本上，碳奈米管可視為卷成管狀的石墨烯原子薄層，并穩定維持1.2nm的直徑。 碳奈米管由于在室溫下的電遷移率超過每秒100,000-cm2//V，比標準矽晶片每稍1,400-cm2//V的電遷移更快70倍，因而幾乎馬上就能確定可用于取代矽電晶體中的通道。 研究人員試
關鍵字：
碳納米管
本文為了實現碳納米管場致發射顯示器(CNT-FED)的產品化，采用CNT-FED陰極電流源驅動方法，研究了CNT-FED亮度的均勻性和非線性調節問題。從分立元件驅動電路設計原理出發，采用了高穩定性陰極電流源像素驅動電路，將電流源驅動電路預先制作在硅基底上，再利用室溫下生長碳納米管(CNT)的方法，將CNT發射體和電流源驅動電路集成在同一硅襯底上，最終實現了集成CNT-FED驅動電路的設計。該驅動電路解決了CNT-FED亮度均勻性和非線性調節問題，對場射顯示器驅動電路的應用研究和CNT-FED驅動電路的集成
關鍵字：
碳納米管 場發射顯示器 電流源 驅動電路 201507
碳納米管介紹
碳納米管作為一維納米材料，重量輕，六邊形結構連接完美，具有許多異常的力學、電學和化學性能。近些年隨著碳納米管及納米材料研究的深入其廣闊的應用前景也不斷地展現出來。
目錄
簡介
分類
性質
碳納米管的性能
1. 力學性能
2. 導電性能
3. 傳熱性能
4. 其他性能
[
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473