首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
        EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

        碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

        英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET

        •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。   新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝,電流范圍為50A至180A,囊括30多個(gè)器件型號(hào),其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  汽車電源  MOSFET  

        Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動(dòng)器

        • 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)今天推出業(yè)內(nèi)首款雙6A峰值電流驅(qū)動(dòng)能力的雙通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器---ISL89367。此款獨(dú)特器件為設(shè)計(jì)人員提供了高速驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián)大電流功率MOSFET的集成解決方案,非常適合用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類放大器等應(yīng)用。
        • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  

        英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

        • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
        • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  40V OptiMOS P2  

        采用碳化硅作為變頻器,節(jié)能潛力巨大

        • 編者語(yǔ):在現(xiàn)代工廠的機(jī)械設(shè)備中,電氣傳動(dòng)系統(tǒng)所耗費(fèi)的電能占到了60%~70%,采用節(jié)能傳動(dòng)系統(tǒng)可以為機(jī)械設(shè)備降低...
        • 關(guān)鍵字: 碳化硅  變頻器  節(jié)能  

        淺談如何提升輕載能效及降低待機(jī)功耗

        • 隨著家用電器、視聽(tīng)產(chǎn)品的普及,辦公自動(dòng)化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展,越來(lái)越多的產(chǎn)品具有了待機(jī)功能,以隨時(shí)...
        • 關(guān)鍵字: 待機(jī)功耗  MOSFET  

        MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

        • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  MOSFET驅(qū)動(dòng)電路  

        PMOS開(kāi)關(guān)管的選擇與電路圖

        • 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
        • 關(guān)鍵字: PMOS  開(kāi)關(guān)管  MOSFET  二極管  

        安森美半導(dǎo)體推出汽車級(jí)非同步升壓控制器

        •   應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。   NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件,能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門(mén)驅(qū)動(dòng)器提供電荷,它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA),使功耗降至最低。它還具有可同步開(kāi)關(guān)頻率特性,提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
        • 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體  MOSFET  非同步升壓控制器  NCV8871  

        NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

        •   恩智浦半導(dǎo)體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門(mén)針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。   
        • 關(guān)鍵字: NXP  MOSFET  

        Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

        恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

        • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門(mén)針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。
        • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

        Vishay將舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布將于中國(guó)電子展同期舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)(West China Power Seminars),時(shí)間和地點(diǎn)分別是8月23日上午9點(diǎn)30分至12點(diǎn)10分在成都明悅大酒店,8月25日在西安曲江國(guó)際會(huì)展中心。每場(chǎng)研討會(huì)將有4位專家做技術(shù)報(bào)告,探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會(huì)面向研發(fā)工程師,用中文講解,CEF的觀眾可以免費(fèi)參加。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

        提供低損耗大功率的MOSFET

        • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個(gè)壓降使得功率二極管上消耗了相當(dāng)?shù)哪芰浚瑥亩斐呻娫葱?..
        • 關(guān)鍵字: 低損耗  大功率  MOSFET  

        根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

        • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟,為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的...
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  導(dǎo)通阻抗  開(kāi)關(guān)電源  
        共1532條 78/103 |‹ « 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 » ›|

        碳化硅 mosfet介紹

        您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
        歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅 mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

        熱門(mén)主題

        樹(shù)莓派    linux   
        關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 丹棱县| 文山县| 徐汇区| 西乌| 房山区| 龙里县| 浑源县| 大冶市| 南投县| 辽阳县| 凤翔县| 吕梁市| 博湖县| 涿州市| 云龙县| 日喀则市| 安泽县| 元阳县| 定南县| 呼和浩特市| 信宜市| 伊吾县| 大荔县| 临安市| 朝阳区| 青川县| 青浦区| 合山市| 正镶白旗| 临沂市| 平罗县| 云梦县| 肇东市| 吐鲁番市| 独山县| 甘德县| 通州市| 龙井市| 新田县| 五指山市| 宣恩县|