- 在分析放大電路的頻響特性時，實際上解決的是放大電路的低頻截止頻率ωL(或fL)和高頻截止頻率ωh(或fh)與電路結構、元件參數之間的關系問題。對所設計的放大電路，總希望中頻增益范圍越寬越好。然而，由于有耦合電容和旁路電容的影響，在頻率的低端區增益會下降，而在頻率的高端區，則由于分布電容及晶體管極間電容的影響增益也會下降，這樣放大電路頻帶寬度將會受到一定的制約。通常根據通帶的低端頻率和高端頻率來區分哪些電容對低頻響應起作用，哪些電容對高頻響應起作用，從而分別構造出相應的低頻和高頻的電路模型，以便對電路的頻率
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放大電路 電路設計
- BUCK電路為典型的開關電源電路，為降壓電路，其主要電路拓撲結構如下，隨著開關管不停的通斷，右邊的輸出電壓低于左邊的輸入電壓，從而實現降壓功能。圖 開關電源BUCK電路結構圖我們首先來分析這個電路的主要干擾源，上一篇文章我們分析了開關電源的主要干擾源主要由3部分組成，含有高頻流也就是大的di/dt回路和電壓快速變化也就是大的dV/dt動點區域，以及地線上高頻電流流過的區域形成的地噪聲。1、BUCK電路主要干擾源頭分析BUCK變換器中有兩個電流快速變化的大的di/dt回路；當MOS管導通時候，二極管D截止，
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BUCK電 電路設計 降壓電路
- MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導通；2、若使用NMOS當上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態，MOS管截止時為低電平，導通時接近高電平VCC。當然NMOS也是
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MOS管 電路設計
- 今天咱們來聊聊為啥mos管開關得快點兒，還有怎么才能快點開關。mos管驅動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅動芯片驅動，我們就以這個驅動設計為主。說起mos管關斷，通常電壓會比開通時高，所以關斷的損失也會比開通時大，所以我們自然希望電路關斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關呢？咱們看看這張圖在mos管開通時，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當mos管關斷時，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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MOS管 電路設計
- 很多朋友肯定碰到過，想要好幾個地方控制燈的情景，下面旺哥給大家介紹一個這種電路，非常巧妙。如下圖：這個電路它是一個帶有延時功能并且可以自動關燈功能的開關電路，我們只需按一下按鈕，需要的照明燈便會立馬亮起，并且在幾分鐘后可自動熄滅。還有一大優點就是它還可以同時控制多處照明燈，非常的適合用在大堂、樓道以及廁所等公共場所的照明。上面這個圖展示的就是一種多處可以延時的開關電路，這個電路主要由橋式整流器、指示燈，延時網絡控制單元、多處按鈕以及晶閘管等多部分構成。下面具體分析電路：整流如上圖，整流二極管VD1-VD4
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延時電路 電路設計
- 我們為了提高這個電路的整流效率并且減少Uo的交流分量，常常采用改進的全波整流電路的辦法。這個電路是由兩個半波整流電路組合而成的，和半波整流電路相比的話，全波整流電路具有更高的電源利用率，相當于負半周期沒有浪費。它能夠輸出更高而且更穩定的直流電壓。但是，這種電路的缺點在于需要使用帶有抽頭的電源變壓器，這會使變壓器的結構變得相對復雜一些。如上圖，變壓器T的次級線圈的匝數是為半波整流時次級線圈匝數的2倍，這個線圈被分為中心抽頭L2和L3兩部分。在上面這個電路中，我們繼續使用的是兩個整流二極管，標號分別是二極管V
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全波整流電路 電路設計
- 大家好，我是阿樂，今天跟大家分享一個很簡單但是很有意思的小電路，先來看電路圖：在上面的電路圖中，用到了5個元器件：一個10K的電位器，一個4.7K的電阻，一個330uF的電解電容，一個NPN型的三極管，一個LED。下圖是做好的電路實物，直接利用元器件的引腳搭棚焊接的：這個電路上電后的效果就是LED燈會一閃一閃的，是一個閃燈電路，我們可以先來看下動圖：在電路圖中，比較特殊的地方就是這個NPN三極管的接法：首先是它的基極不接，然后給發射極接高電位，集電極接低電位。第一眼看到這樣的電路是不是覺得它不會工作，哪有
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電路設計 三極管
- **1. 關于MOS管的極限參數說明：**在以上圖中，我們需要持續關注的參數主要有：a. **ID（持續漏極電流）**：該參數含義是mos可以持續承受的電流值，在設計中，產品的實際通過電流值應遠小于該值，至少應小于1/3以下，例：該mos管的使用持續電流應小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數是指設計中，實際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實際
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MOS管 電路設計
- 使用AD畫板，每每從原理圖同步PCB的時候都會自動生成rooms。如果一個工程中包含多個原理圖，則每個原理圖都會生成一個對應的room。從原理圖同步PCB時會自動添加Rooms room在某些情況下對PCB設計很有益處，比如可以利用room實現布局布線的復用，如果PCB中有多個同樣的模塊，利用room進行布局復用可以大幅提高布局效率。再有一種情況，我們可以針對room設置一些特殊的設計規則，而免得將這些設計規則作用于全局，而一個良好的規則設計對PCB設計大有裨益。PCB中的rooms效果圖 盡管r
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PCB 電路設計 Altium Designer
- 自 1953 年創辦以來，ISSCC 一直被全球學術界和工業界公認為集成電路設計領域的最高級別會議。在美國舊金山舉行的 ISSCC, 其前沿的科研創新每年都會吸引超過 3000 人參會，而其中大概 60% 是來自全球的從業者。在歷史進程中，眾多重要的發明與創舉，諸如全球首個集成模擬放大器芯片、首個 8 位微處理器芯片、首個 32 位微處理器芯片、首個 1Gb 內存 DRAM 芯片以及首個多核處理器芯片，皆是在 ISSCC 上首次向公眾展示的。在 ISSCC 2024 中國區發布會后，半導體產業縱橫與 IS
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電路設計
- 數字萬用表可用來測量直流和交流電壓、直流和交流電流、電阻、電容、頻率、電池、二極管等等。整機電路設計以大規模集成電路雙積分A/D轉換器為核心，并配以全過程過載保護電路，使之成為一臺性能優越的工具儀表，是電工的必備工具之一。一、操作前注意事項· 將ON-OFF開關置于ON位置，檢查9V電池，如果電池電壓不足，或“BAT”將顯示在顯示器上，這時，則應更換電池;如果沒有出現則按以下步驟進行；·?測試前，功能開關應放置于所需量程上，同時要注意指針的位置，如下圖所示；·?同時要特別注意的是，測量
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數字萬用表 二極管 電阻 電路設計 萬用表
- 一、原理圖設計二、電路分析上圖中USB-VIN的電源來自USB供電; BAT-VIN來自電池供電; VCC-POW是系統的電路輸入端。當使用電池供電時，可以實現系統開機。 Q2場效應管是漏極與源極反接，起到電壓選擇作有，非開關管功能，利用寄生二極管使電源通過，Q3是開關管正常接法，處于截止狀態，此時系統無電; 按下K1，Q1基極為高電平，電阻R2，R3保證此時Q1處于導通，則Q1集電極為低，此時，Q2,Q3這兩個P溝道的場效應管的柵極為低，使Q3的柵極電壓低于源極電壓，Q3導通，R6維持源極和柵極電平關系
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電路設計
- 基于自振蕩混頻的X波段單器件收發電路設計分析作為通信系統中的兩個關鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設計直接關系到整個電路是否具有高性能與高穩定性的品質。在接收前端電路中，混頻器作為實現頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號源進行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號。而在發射前端電路中，混
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電路設計
- 這個電路將幫助你保護你的珍貴文件以及珠寶免受入侵者或偷竊。你只需要把這個電路放在儲物柜的前面或墊子的下面，這樣當任何不明身份的人走過開關時，電路就會觸發并發出警報聲。該電路的主要好處是，由于兩個不同的開關會產生兩種不同的聲音，因此這些電路可以同時隱含在兩個地方。安全警報器的電路圖：電路元件：電阻器R1, R2 (100K) - 2R3 (1.2K) - 1R4 (47E) - 1T1 (BC547) - 1T2 (BC558) - 1D1, D2 (1N4007) - 2C1 (. 1uf) - 1S1,
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報警器 電路設計
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