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        為什么MOS管需要提升關斷速度?如何解決這個問題?

        作者: 時間:2024-01-05 來源:電子工程師筆記 收藏

        今天咱們來聊聊為啥mos管開關得快點兒,還有怎么才能快點開關。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202401/454525.htm

        mos管驅動有幾種方法,我們知道,其中有一種是用專門的驅動芯片驅動,我們就以這個驅動設計為主。

        說起mos管關斷,通常電壓會比開通時高,所以關斷的損失也會比開通時大,所以我們自然希望電路關斷的速度能更快些。

        那么,咱咋能讓mos管快些開關呢?

        咱們看看這張圖



        在mos管開通時,電阻R1和R4限制了電流,這樣就能給mos管電容充電;

        要注意的這兒,R1和R4的電阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。

        當mos管關斷時,R4電阻上的電壓被限制在0.7V,一旦超過0.7V,電流就會通過二極管,然后與R1串聯進行放電,這樣驅動電阻就能減小,從而可以讓mos管快速關斷,進而減少關斷損失。

        這兒有個問題:要是芯片驅動能力不夠咋弄?

        答案就是:我們可以通過增加PNP三極管來實現。

        當mos管開通時,還是讓芯片直接驅動,但關斷時可以通過三極管放電。


        這時候,三極管的be電流能控制ec電流,進而釋放mos管的柵極電容的電荷。只要三極管的ce電流滿足特定條件,ec的電流就能通過be電流進行擴大,這樣電源IC所需的關斷能力就會小很多。

        這樣一來,不僅能解決mos管開關慢的問題,還能解決IC驅動能力不足的問題。




        關鍵詞: MOS管 電路設計

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