- 本文首先討論了基于變壓器和雙向開(kāi)關(guān)的VSG 及基于全功率變流器的VSG的工作原理，基于變壓器和雙向開(kāi)關(guān)的VSG 可以選擇使用繼電器、晶閘管或IGBT 構(gòu)成雙向開(kāi)關(guān)，構(gòu)建了實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，對(duì)幾種不同的實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了比較研究，分析并通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比了幾種方案的優(yōu)缺點(diǎn)。
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研究 比較 VSG 發(fā)電 風(fēng)力
- 摘要：通過(guò)對(duì)兩種示波器示波原理分析的比較，在分別指出其不足之處的基礎(chǔ)上，總結(jié)出一種分析任意波形形成原理的方法，并舉實(shí)例證明該方法的可行性。
關(guān)鍵詞：示波器；示波原理；電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律；任意波形
0 引言
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示波器 分析法 比較 示波原理
- 摘要：文章設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源的低壓高增益三級(jí)比較器。并且給出了實(shí)際的電路結(jié)構(gòu)和仿真結(jié)果。在Hspice下，采用0．18mu;m CMOS工藝，電源電壓1．8V，溫度為25℃的情況下，增益為143dB，-3dB帶寬377kHz。
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放大 比較 三級(jí) 增益 開(kāi)關(guān)電源 低壓 應(yīng)用
- 常用電壓比較器的原理與應(yīng)用,本文主要介紹其基本概念、工作原理及典型工作電路，并介紹一些常用的電壓比較器。
什么是電壓比較器
電壓比較器（以下簡(jiǎn)稱比較器）是一種常用的集成電路。它可用于報(bào)警器電路、自動(dòng)控制電路、測(cè)量技術(shù)，也可用
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應(yīng)用 原理 比較 電壓 常用
- 市場(chǎng)上可以買到的微功率電源芯片有以下幾種控制模式：PFM、PWM、chargepump、FPWM、PFM/PWM以及pulse...
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LED 恒流驅(qū)動(dòng) 比較
- 和一個(gè)產(chǎn)品的任何其他方面一樣，產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)也可以得到不斷的改進(jìn)，廠商正努力地詳細(xì)闡明產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)1。然而，市場(chǎng)上已經(jīng)遺留了許多產(chǎn)品/產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)版本，對(duì)新版本或者更早的版本來(lái)說(shuō)，不同標(biāo)準(zhǔn)的采用也取決于不同的因
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產(chǎn)品 說(shuō)明書(shū) ADC 高速 理解 比較 正確
- 一、光電印制電路的板的光互連結(jié)構(gòu)原理 光電印制電路板用高速的光連接技術(shù)取代目前計(jì)算機(jī)中所采用的銅導(dǎo)線連接，以光子而不是以電子為媒介，在電路板、芯片甚至芯片的各個(gè)部分之間傳輸數(shù)據(jù)。同時(shí)還可以傳送傳統(tǒng)的
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印制電路板 電互連 比較 光互連
- Delphi中比較GUID是否相等,1、CompareMem(@guid1, @guid2, SizeOf(TGUID))
最開(kāi)始時(shí)想到的方法。
查看Delphi中TGUID的定義可以看到TGUID實(shí)際上是一個(gè)結(jié)構(gòu)。對(duì)于結(jié)構(gòu)的比較來(lái)說(shuō)最方便的就是內(nèi)存直接比較了。
TGUID = packed record
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相等 是否 GUID 比較 Delphi
- 我們?cè)S多工程師非常喜歡使用BAV99做靜電保護(hù)應(yīng)用,認(rèn)為BAV99能完全靜電問(wèn)題,其實(shí)這種想法是錯(cuò)誤的,正如我們所知,BAV99是一個(gè)二極管,它不具備TVS快速反應(yīng)和低的鉗位電壓特性,為此, 我們拿Semtech 的TVS uClamp0501P/uC
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比較 應(yīng)用 靜電 TVS BAV99
- 一、蓄電池落后的原因及檢測(cè)重要 閥控式鉛酸蓄電池（VRLA）從一開(kāi)始便被稱為免維護(hù)電池，而生產(chǎn)廠家又承諾該電池的使用壽命為10 ~ 20年（最少為8年），這樣就給我們電力系統(tǒng)維護(hù)人員一種誤解，似乎這種電池既耐用又完
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分析 比較 技術(shù) 在線測(cè)試 蓄電池
- ASIC設(shè)計(jì)的平均門數(shù)不斷增加，這迫使設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將20%到50%的開(kāi)發(fā)工作花費(fèi)在與測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題上，以達(dá)到良好的測(cè)試覆蓋率。盡管遵循可測(cè)試設(shè)計(jì)(DFT)規(guī)則被認(rèn)為是好做法，但對(duì)嵌入式RAM、多時(shí)鐘域、復(fù)位線和嵌入式IP的測(cè)
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DFT 架構(gòu) 測(cè)試方法 比較
- 目前高帶寬接入組網(wǎng)方式主要是基于PON的FTTX接入，成本分析牽涉的主要方面和假設(shè)條件如下： 接入段設(shè)備成本(包括各種接入設(shè)備及線路等，平均到每一線用戶) 工程建設(shè)成本(包括施工費(fèi)及其他開(kāi)銷成本，一般為設(shè)備
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方式 比較 接入 FTTX PON 基于
- 本文設(shè)計(jì)加工了一種簡(jiǎn)單的表面電流減少測(cè)試裝置，通過(guò)它可以在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下對(duì)不同EMI吸波材料的吸波性能進(jìn)行相對(duì)的比較。盡管吸波材料所引起的表面電流的減少量并不完全等于預(yù)期的EMI減少量的測(cè)量值，但該方法可以很快的確定在特定頻率范圍內(nèi)具備最佳吸波性能的材料。
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比較 性能 材料 EMI/RF 用于
- 2051的比較器模擬AD源程序(C語(yǔ)言),2051的比較器模擬AD源程序(C語(yǔ)言)/* io分配: *
;* OUTPUT: *
;* P1.0 ...... 模擬量輸入 *
;* P1.1
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語(yǔ)言 源程序 AD 模擬 比較
- 本文詳細(xì)介紹比較器的應(yīng)用場(chǎng)合、原理及類型。從2005年到2006年，比較器的市場(chǎng)增長(zhǎng)已超過(guò)了20%，但比較器在放大器整體市場(chǎng)中所占的份額僅為10%?！ 〔殚喚S基百科便會(huì)發(fā)現(xiàn)大家熟知的雙路/四路比較器LM393/LM339排名很
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應(yīng)用 原理 比較
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