- 在本文中，我們研究了非零開關轉換時間如何影響E類功率放大器的效率。通常假設具有理想組件的E級效率為100%。在實踐中，有幾個非理想因素會降低E類放大器的效率。在本文中，我們將只討論一個：實際開關的非零轉換時間。了解這種損耗機制可以幫助我們更真實地估計放大器的性能，并實現更準確的熱系統設計。如果您從“E類功率放大器簡介”開始閱讀本系列文章，您可能還記得這些放大器的負載網絡旨在最大限度地減少開關損耗。即使使用非理想晶體管，設計良好的E級的導通開關損耗也可能接近于零。然而，關斷開關損耗可能相當大，我們很快就會看
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E類放大器，開關損耗
- 在SPICE仿真的幫助下，我們研究了當BJT用作開關時發生的兩種類型的功耗。雙極性結型晶體管（BJT）既可以用作小信號放大器，也可以用作開關。盡管現在你在電路板上看不到很多分立的BJT放大器——使用運算放大器要方便有效得多——但作為開關連接的BJT仍然很常見。BJT開關通常用于阻斷或向有刷直流電機、燈或螺線管等負載輸送電流。它們有時也出現在更高頻率的開關應用中，如開關模式調節器或D類放大器。圖1顯示了BJT開關的兩種常見應用：高強度LED照明（左）和繼電器控制（右）。兩個開關都由微控制器上的通用輸入/輸出
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LTspice 雙極性結型晶體管 開關損耗
- 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優化開關模式調節器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。跨溝道的電壓和流過溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態，在該狀態下溝道電阻大大降低。在這種狀態下，晶體管就像一個閉合的開關：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況，功耗變得可
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MOSFET 開關損耗
- Wolfgang?Frank?（英飛凌） 摘?要：電力電子系統（如馬達）中的開關損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關電壓斜率等參數的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運行中是無法自主進行調整的。 本文將介紹一種通過并聯常規柵極驅動芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進有關的表征數據的評估。 關鍵詞：馬達；開關損耗；EMI；開關電壓斜率；柵極驅動 0 引言 連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個優化目標。首先，應通過選擇電阻值較小的
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202006 馬達 開關損耗 EMI 開關電壓斜率 柵極驅動
- Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬國半導體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數據表中靜態輸出電容Coss、時間相關輸出電容Coss(tr)和能量相關輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說明了在實際的不同應用中，采用不同的輸出電
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輸出電容 死區時間 開關損耗 超結 201904
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
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MOSFET 帶電插拔 緩啟動 開關損耗
- 基于電感的開關電源(SM-PS)包含一個功率開關，用于控制輸入電源流經電感的電流。大多數開關電源設計選擇MOSFE...
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開關電源 開關損耗
- IGBT關斷損耗大；拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方面構成：1）IGBT的主導器件—GTR的基區儲...
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IGBT 開關損耗
- IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。與目前逆變器設...
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反向恢復 過壓 開關損耗
- 對降壓穩壓器的關鍵要求通常是尺寸和效率。由于印制電路板面積彌足珍貴，哪個設計人員也不愿意分配額外的空...
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零電壓 開關損耗 功率密度
- 了解了開關管V和續流二極管D的電流D（見圖d、e）就可以計算電路的損耗和效率。若電流流過開關管V和二極管D...
- 關鍵字：
開關調節器 開關損耗
- 交疊開關損耗（或稱為電壓電流重疊損耗），可以根據某時段內電壓電流的動態曲線按照上升電流和下降電壓的斜率...
- 關鍵字：
開關調節器 開關損耗
- 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
- 關鍵字：
MOSFET 開關損耗 主導參數
- 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
- 關鍵字：
功率MOSFET 開關損耗
- 20世紀70年代初期，20kHzPWM型開關電源的應用在世界上引起了所謂“20kHz電源技術革命”。逆變電源按變換方式...
- 關鍵字：
磁性材料 開關損耗 諧振
開關損耗介紹
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