- 英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發和生產領域擴大合作，攜手開發面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據該項協議，英飛凌與臺積電將攜手開發65納米工藝技術，用于生產符合汽車行業嚴格的質量要求及芯片卡和安全行業苛刻的安全要求的嵌入式閃存微控制器(MCU)。
與TSMC擴大合作符合英飛凌制造外包及通過合作大力開發65納米以下工藝的戰略。對于汽車應用而言，65納米嵌入式閃存工藝可確保最高的功能集成度，實現即將出臺的
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臺積電 65納米 嵌入式閃存
- 國內知名的晶圓代工廠上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體) 日前在上?？偛颗e辦了自2003年投片生產以來的首次技術論壇。此次論壇得到了宏力半導體客戶的積極支持，不僅上?？蛻糅x躍參加，更有多家北京、深圳和華東地區的客戶專程來滬與會。同時，產業主管部門、行業協會以及合作伙伴等各方也派代表出席。會場氣氛熱烈，座無虛席。
宏力半導體首席執行官舒馬赫博士 (Dr. Ulrich Schumacher) 率先演講，坦陳公司發展策略、未來規劃以及公司架構。接著，銷售市場及服務資深副總衛彼得博士 (Dr.
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宏力半導體 嵌入式閃存 OTP 晶圓
- 上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業領先企業之一，發布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。
宏力半導體的新0.13微米嵌入式閃存制程結合了其已經量產的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。該授權閃存技術具有單元尺寸小，編程效率高和無過度擦除的優點，顯著減少了嵌入式閃存模塊的面積，在市場上極具競爭力。與此同時，此新技術具有極高的耐擦寫能力和數據保持特性，可重復擦寫10萬次，數據可保留100年。
該新制程兼容了宏力半導體0.13微米所有的通用和低
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- 中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”),世界領先的集成電路制造公司之一，與領先的非易失性內存產品和 IP 供應商常憶科技今日共同宣布，已成功推出中芯國際0.18微米嵌入式閃存工藝技術和 IP 組合包。
基于常憶科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 單元結構專利，中芯國際的0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝，是芯片代工領先業者和嵌入式非揮發性記憶體專業廠商緊密合作的成果，現已全面通過認證并即將批量生產。這一工藝技術可為客戶提供高性能，符合成本
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中芯國際 IP 嵌入式閃存
- 飛利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術現已完全符合Grade-1汽車電子應用的需求，其0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進行量產，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產要求的工廠。 飛利浦稱，嵌入式閃存和EEPROM存儲器已成為當今許多片上系統解決方案的一個重要組成部分。它不但提供了在生產線上用不同的軟件對這些芯片進行編程或進行現場軟件升級的能力，還實現了對重要的本地數據例如PIN密碼或地址簿信息的存儲，并且可以在設備斷電的時候保
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飛利浦 嵌入式閃存 嵌入式系統
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