飛利浦稱0.14微米嵌入式閃存/EEPROM量產

  　飛利浦日前宣布其0.18微米CMOS嵌入式閃存/EEPROM技術現已完全符合Grade-1汽車電子應用的需求，其0.14微米嵌入式閃存/EEPROM已開始在位于荷蘭奈梅亨市的晶圓廠進行量產，這也是飛利浦第二家符合這一工藝生產要求的工廠。

　　飛利浦稱，嵌入式閃存和EEPROM存儲器已成為當今許多片上系統解決方案的一個重要組成部分。它不但提供了在生產線上用不同的軟件對這些芯片進行編程或進行現場軟件升級的能力，還實現了對重要的本地數據例如PIN密碼或地址簿信息的存儲，并且可以在設備斷電的時候保留這些數據。典型的應用包括手機、電視機、MP3播放器和智能卡、以及電線驅動的汽車電子系統。

　　飛利浦半導體嵌入式存儲器技術戰略規劃經理Frans List表示：“新的以及已經問世的片上系統解決方案所具有的向更先進的處理工藝發展的能力不應該因為缺乏合適的嵌入式存儲器選擇而受到阻礙。通過開發為嵌入到高性能CMOS工藝而優化的低功耗非易失性技術，我們有信心我們的閃存和EEPROM解決方案能夠在未來至少兩代CMOS處理技術中具有競爭力。”

　　Gartner Dataquest半導體研究副總裁Mike Williams表示：“對于下一代汽車電子應用而言，大量的市場將要求整體價格的降低和體積的減小，從而通過OEM模式來實現產品提升。飛利浦為嵌入式閃存和EEPROM開發的工藝技術結合了低功耗和可擴展性，使得客戶能夠簡化下一代設計平臺并取得顯著的成本效益。”

　　不同于絕大多數競爭對手的非易失性存儲器技術采用溝道熱電子(CHE)注入進行存儲器單元編程以及富雷一諾特海姆式進行隧穿及擦除，飛利浦的閃存/EEPROM技術在編程和擦除方面都采用了富雷一諾特海姆式隧穿。其存儲器單元低功耗的結果是飛利浦0.18微米閃存能夠完全符合Grade-1(125℃環境溫度)要求的原因之一。這使得這一工藝適用于實現飛利浦正在為汽車電子應用(例如支持FlexRay的電線驅動的系統)開發的強大的基于ARM的微控制器。低功耗也是EEPROM技術高度適用于智能卡的原因，尤其是那些非接觸智能卡，它們需要從RF域獲取操作能源來進行卡到讀卡器以及讀卡器到卡的通信。在這些應用中，超低功耗是一個非常重要的設計要求。

　　據介紹，飛利浦的0.14微米閃存/EEPROM現已在飛利浦設于奈梅亨的晶圓廠開始量產，并用于包括飛利浦UOCIII超級單片(Ultimate One Chip)電視在內的應用中，它為設計者開發了一個設計環境使得他們能夠將可擴展和不可擴展的IP集成到同一個芯片上。這一結果解決了不同IP塊(例如：閃存/EEPROM、模擬、SRAM和I/O塊)可擴展性不同的問題。由此，設計者有了一個轉向同0.13微米CMOS相比更具成本優勢的工藝，不需要承擔完全重新設計的風險，并且沒有額外的銅線互連、193納米平板刻法和300納米晶圓處理的工藝復雜問題。

　　還有一個優勢是標稱供應電壓維持在1.8伏。它不必像在標準0.13微米技術中那樣降到1.2伏特。因此，產品系列可以很容易得到擴充，而不必在產品規范中對供應電壓進行變動。

　　對于那些希望從可再編程代碼轉向固定代碼的客戶，飛利浦提供了一個“閃存到ROM”的轉換服務。這一服務也正處于實現符合0.14微米工藝汽車電子應用要求的過程中。飛利浦還開發了一個16K字節的EEPROM塊，用于它的IP黃頁(IP Yellow Page)和Nx-Builder片上系統設計流程。這一存儲器塊能夠同閃存一起使用，從而增加字節寫功能。