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        基準 文章 最新資訊

        2.5~10V基準電壓發生電路功能及原理介紹

        • 電路的功能穩定度好的基準電壓應用范圍很廣,它涉及到所有的模擬電路。本電路采用了產生基準電壓。當然也可用普通齊納二極管代替專用IC。可以說這是具有通用性的基準電壓發生器。電路工作原理OP放大器采用單一電源,
        • 關鍵字: 功能  原理  介紹  電路  發生  10V  基準  電壓  2.5  

        溫度補償式齊納二極管+10V基準電壓發生電路功能及原理

        • 電路的功能產生基準電壓用的二極管,如果采用溫度補償式,就須加大偏流,如NEC公司的IS2190系列產品,必須有10MA的偏流,該偏流不是由電源供給的,而是由輸出端供給的,這樣即使電源變動,也能保證穩定工作,另外因為
        • 關鍵字: 發生  電路  功能  原理  電壓  基準  補償  齊納  二極管  10V  

        步進電壓準確的PWM基準電壓發生電路功能及原理分析

        • 電路的功能這種PWM式的D-A轉換器,數據范圍為0~255(8位二進制),因此能以10MV為一步,產生0~2.55V的電壓另外通過改變電阻R2可使滿量程電壓在10V以內隨意設定。電壓變化取決于脈沖占空比,因此,只要基準電壓穩定,
        • 關鍵字: 電壓  功能  原理  分析  電路  基準  準確  PWM  步進  發生  

        14位Pipeline ADC設計的帶隙電壓基準源技術介紹

        • 目前,基準電壓源被廣泛應用與高精度比較器,A/D,D/A轉換器,動態隨機存儲器等集成電路中。基準電壓源是集成電路中一個重要的單元模塊。它產生的基準電壓精度,溫度穩定性和抗噪聲干擾能力直接影響到芯片,甚至整個
        • 關鍵字: 基準  技術  介紹  電壓  設計  Pipeline  ADC  14位  

        低電壓供電時的帶隙基準電壓源電路的設計方法

        • 本文采用一種低電壓帶隙基準結構。在TSMC0.13mu;m CMOS工藝條件下完成,包括核心電路、運算放大器、偏置及啟動電路的設計,并用Cadence Spectre對電路進行了仿真驗證。基準電壓是數模混合電路設計中一個不可缺少的
        • 關鍵字: 電壓  方法  設計  基準  供電  電路  

        一種負精密基準電壓設計

        • 在要求絕對測量的應用場合,其準確度受使用基準值的準確度的限制。但是在許多系統中穩定性和重復性比絕對精度更重要;而在有些數據采集系統中電壓基準的長期準確度幾乎完全不重要,但是如果從有噪聲的系統電源中派生基
        • 關鍵字: 設計  電壓  基準  精密  

        一種低溫漂的CMOS帶隙基準電壓源的研究

        • 摘要:為了滿足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求,提出了一種在0.25mu;m N阱CMOS工藝下,采用一階溫度補償技術設計的CMOS帶隙基準電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構成,實現了VBE和VT的線性
        • 關鍵字: 研究  電壓  基準  CMOS  低溫  

        基準電壓源設計及選用介紹

        • 通常我們選用穩壓二極管作為基準電壓源,這是最簡單、也是最傳統的方法,按照所需電壓值選一個對應型號的穩壓管當然可以,但選得是否合適、是否最佳,卻大有講究。  最基本的電壓基準源電路如圖1(a)、穩壓管的擊穿
        • 關鍵字: 介紹  選用  設計  電壓  基準  

        一種高PSR帶隙基準源的實現

        • 摘要:本文針對傳統基準電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題,通過采用LDO與帶隙基準的混合設計,并且采用BCD工藝,得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準。此帶隙基準的1.186 V輸出電壓在低頻時PSR
        • 關鍵字: 實現  基準  PSR  

        最大消耗380nA電流的電壓基準源設計

        • 1 引 言  隨著各種便攜式移動通信和計算產品的普及,對電池的需求大大加強,但是電池技術發展相對落后,降低電路的功耗成為IC設計關注的一個焦點;電路的功耗會全部轉換成熱能,過多的熱量會產生焦耳熱效應,加劇硅
        • 關鍵字: 基準  設計  電壓  電流  消耗  380nA  最大  

        一種帶隙基準電壓源的設計與仿真

        • 摘要 設計了一款帶隙基準電壓源,基于0.18mu;m的CMOS工藝,在Hspice下仿真,仿真結果表明,溫度在-25~80℃內變化時,溫度系數為9.14times;10-6℃;電源電壓在3~5 V之間變化時,基準電壓在1 250plusmn;43 mV內
        • 關鍵字: 仿真  設計  電壓  基準  

        全CMOS基準電壓源的分析與仿真

        • 摘要:文章基于CMOS 0.18mu;m工藝,在Hspice下,對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真,文中給出了每種電路仿真時的電路參數和仿真結果。
          關鍵詞:基準電壓;CMOS集成電路;Hspice

          0 引言
          模擬電路廣泛
        • 關鍵字: 仿真  分析  電壓  基準  CMOS  

        高電源抑制的基準源的設計方案

        • 但是,由于本設計采用LDO供電,而LDO的參考電壓是bg,存在死循環,即bg低,則LDO低,所以基準核心的VQC5無法給VQCS2提供電流,也就無法提高VQC2的電壓即bg,因此需要外界提供大電流bias-start,使得當LDO無法啟動基
        • 關鍵字: 方案  設計  基準  抑制  電源  

        一種高電源抑制的基準源的設計

        • 摘要:本文針對傳統基準電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題,通過采用LDO與帶隙基準的混合設計,并且采用BCD工藝,得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準。此帶隙基準的1.186 V輸出電壓在低頻時PS
        • 關鍵字: 設計  基準  抑制  電源  

        0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設計

        • 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
        • 關鍵字: 設計  電壓  基準  CMOS  0.18  
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