- 近日，國新辦就2023年10月份國民經濟運行情況舉行發布會。會上，有記者提出“從高頻數據看，發現10月份部分高耗能產業的開工率同比增速有所下降，請問工業生產整體有哪些特點？原因有哪些？后續政策發力作用下，四季度整體形勢如何？”的問題。國家統計局新聞發言人、總經濟師、國民經濟綜合統計司司長劉愛華表示，10月份，隨著市場需求逐步恢復，新舊動能加快轉換，工業生產總體上呈現穩中有升的態勢。10月份，規模以上工業增加值同比增長4.6%，累計增長4.1%，當月和累計同比增速都比上期加快0.1個百分點。今年以來，累計增
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半導體器件 專用設備 制造
- 自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優化和摻雜其單元設計的關鍵參數。電導率的主要行業標準是材料技術中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統中的大部
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半導體器件
- 科技日報北京9月21日電 （記者張夢然）韓國科學技術研究院（KIST）神經形態工程中心研究團隊宣布開發出一種能進行高度可靠神經形態計算的人工突觸半導體器件，解決了神經形態半導體器件憶阻器長期存在的模擬突觸特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日發表在《自然·通訊》雜志上。模仿人腦的神經擬態計算系統技術應運而生，克服了現有馮諾依曼計算方法功耗過大的局限。實現使用大腦信息傳輸方法的半導體器件需要一種能表達各種突觸連接強度的高性能模擬人工突觸裝置。當神經元產生尖峰信號時，這種方法使用神經元之間傳輸的信號。
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人工突觸 半導體器件
- 工商信息顯示，華為旗下哈勃科技投資有限公司近日再新增一家對外投資——蘇州東微半導體有限公司（以下簡稱“東微半導體”）。東微半導體成立于2008年，注冊資本4578.22萬元，經營范圍包括半導體器件、集成電路、芯片、半導體耗材、電子產品的設計、開發、銷售、進出口業務及相關技術咨詢和技術服務等，擁有多項功率半導體核心專利，核心產品為中低高壓功率器件。其官網顯示，2013年下半年，東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發表，標志著首次國內科學家在半導體核心技術方向獲得的重大突破。2016年東微
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華為，半導體器件
- 據外媒報道，英國卡迪夫大學（Cardiff University）的研究人員首次發現，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發現的“不穩定性”。該發現可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來發展產生深遠影響。從智能手機、GPS到衛星和筆記本電腦，復合半導體是此類電子設備不可或缺的一部分。
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砷化鎵 電子產品 半導體器件
- 來自美國國際貿易委員會官網的消息稱，2019年3月21日，美國國際貿易委員會(ITC)投票決定對特定半導體器件、集成電路和包含該器件的消費產品啟動337調查(調查編碼：337-TA-1149)。值得一提的是，涉案的中國企業包括OPPO、vivo、一加、步步高、TCL、海信、聯發科和晨星等，同時美國高通和臺積電在美分公司也被列為被告之一。 2019年2月15日，美國Innovative Foundry Technologies
LLC向美國ITC提出337立案調查申請，主張對美出口、在美進口和在美
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半導體器件 OPPO vivo
- 普通二極管的檢測 （包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關二極管、續流二極管）是由一個PN結構成的半導體器件，具有單向導電特性。通過用萬用
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二極管 半導體器件 檢測方法
- 靜電可被定義為物質表面累積的靜態電荷或靜態電荷之間交互作用累積的電荷。電氣過應力(EOS)和靜電放電(ESD)是電子行業面臨的重大挑戰之一。通常來說，半導體行業中超過三分之一的現場故障都是由ESD引起的。ESD導致的
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半導體器件 電氣過應力 靜電放電 故障
- (1)二、三極管的損壞一般是PN結擊穿或開路。其中以擊穿短路居多。此外，還有兩種損壞表現一是熱穩定性變差，表現為開機時正常、工作一段時間后。發生軟擊穿另一種是PN結的特性變差，用萬用表Rx1K測，各PN結均正常，但上機后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程擋測就會發現其NN結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量，較準確的方法是將萬用表置RX10或Rx1擋(一般用RX10擋，不明顯時再用Rx1擋〕在線測二、三極管的PN結正、反向電阻。如果正向電阻不太大《相對正常值〕反向電阻足夠
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半導體器件 集成電路
- 最近幾年，在半導體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。
功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導體已配備于家電、汽車、工業機械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風電系統等，掌握著節能的關鍵。
三菱電機半導體器件第一事業部營業戰略課長山田正典說“用人體打比方的話，個人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦，而功率半導體則相當于肌肉。”
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功率半導體 半導體器件
- 隨著IGBT技術的發展，IGBT已經從工業擴展到消費電子應用，成為未來10年發展最迅速的功率半導體器件;而在中國市場，軌道交通、家電節能、風力發電、太陽能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場。
據IHS iSuppli公司中國研究服務即將發表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復合年度增長率將達13%。2011年IGBT銷售額將達到8.59億美元，2015年有望達到13億美
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- 中國北車集團日前在西安對外發布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定并投入批量生產。中國自此有了完全自主產權的大功率IGBT“中國芯”。
據介紹，作為新一代半導體器件，IGBT是自動控制和功率變換的關鍵核心部件，被廣泛應用在軌道交通裝備行業、電力系統、工業變頻、風電、太陽能、電動汽車和家電產業中。此前，國內高端IGBT芯片基本依賴進口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國高鐵、動車組等軌道交通裝備及其他相關行業提供強勁的“中國芯
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半導體器件 IGBT
- led電路知識,LED是英文單詞Light Emitting Diode的縮寫，意思為發光二極管，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光，它改變了白熾燈鎢絲發光與節能燈
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led 發光二極管 半導體器件
- 在過去的20多年，出現了一些新功率半導體開關器件和功率模塊，在如功率MOS-FET，絕緣柵雙極晶體管IGBT，碳化硅（S...
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開關電源 功率 半導體器件
- 除了用傳統的氣體放電管、金屬氧化物變阻器（MOV）以及保險絲來保護電路板上的電子元件免受外界的侵襲以外，...
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電路板 電子元件 半導體器件
半導體器件介紹
用半導體材料制成的具有一定功能的器件，統稱半導體器件。為了與集成電路相區另，有時也稱為分立器件。半導體器件主要有二端器件和三端器件兩大類。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波 [
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