英國科學家發現砷化鎵存不穩定性 或可為汽車等研發更好的電子產品

據外媒報道，英國卡迪夫大學（Cardiff University）的研究人員首次發現，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發現的“不穩定性”。該發現可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來發展產生深遠影響。從智能手機、GPS到衛星和筆記本電腦，復合半導體是此類電子設備不可或缺的一部分。

該項新發現揭示了一種常用的復合半導體材料 – 砷化鎵（GaA）的表面并不像之前大家認為的那么穩定。

該團隊利用卡迪夫大學物理與天文學院和復合半導體研究所最先進的設備，發現砷化鎵的原子結構存在小塊的不穩定性，而且此種不穩定性一會出現，一會消失。這是首次在砷化鎵表面觀察到此種“亞穩態”現象。

該研究的合著者 – 卡迪夫大學物理與天文學院的Juan Pereiro Viterbo博士表示：“目前，我們還不知道是否此種現象會影響半導體器件結構的生長，下一步我們會進行研究。如果此種現象發生在半導體器件的生長過程中，則會產生深遠的影響。最終，此發現可以幫助我們更好地了解分子結構上發生的情況，從而能夠研發新型材料和結構，減少現有復合半導體的缺陷，為通信系統、計算機、電話、汽車等研發更好的電子產品。”

此次發現的關鍵是可能會創造出新設備，而此種設備將具備此前不存在的新能力。

物理與天文學院和復合半導體研究所的實驗室有一個低能電子顯微鏡，結合使用分子束外延機，研究人員能夠在制造復合半導體的時候，觀察到材料結構的動態變化。分子束外延是一種用于制造或“生長”復合半導體器件的技術，其工作原理是在襯底上精確發射極熱原子束或分子束。此類分子落在襯底的表面，凝聚，然后緩慢而系統地積累成超薄層，最終形成復雜的單晶結構。

Viterbo博士表示：“盡管砷化鎵已被深入研究，在生長過程中采用低能電子顯微鏡卻可以觀察到以前從未觀察到的動態情況。”