- 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業需要2030年開發數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
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ASML NA EUV 光刻設備
- 據外媒Tomshardware報導，一家俄羅斯研究單位正在研究開發自己的半導體微影光刻設備，預計該設備可以被用于7納米制程芯片的生產上。整個計劃預計在2028年完成，而且一旦完成之后，其設備可能會比ASML的Twinscan
NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發Twinscan NXT:2000i的時間超過了10年。報導表示，俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到2030年開發出自己的28納米制程技術，并盡可能利用外國芯片進行逆向工程取得技術，同時也要培養本土人才從事國產芯片的生產工作。根
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- 半導體裝備制造產業是國民經濟的戰略性和先導性產業，10余年間，在國家增強自主創新能力和振興東北老工業基地等戰略方針的引導下，遼寧半導體裝備制造產業以沈陽為中心實現了從無到有、從小到大、由弱到強的歷史性轉變：建成了國內首個IC裝備控制軟件平臺和IC裝備專業孵化器，攻克了多個制約我國半導體設備的生產工藝和關鍵技術，創造了300余項科研成果，成功研制出6-12英寸等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、勻膠顯影、單片濕法刻蝕和凸點封裝噴涂膠等系列整機設備以及300mm IC生產線自動物料搬運系統、直接驅動真
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半導體 光刻設備
- 天津芯碩精密機械有限公司落戶簽字儀式暨老廠房改造開工儀式在天津開發區舉行。天津開發區(南港工業區)管委會黨組書記、管委會主任何樹山，工信部電子信息司副司長刁石京，芯碩半導體有限責任公司董事長劉鈞，濱海新區副區長郭景平，天津開發區(南港工業區)管委會副主任郎東等領導出席儀式。何樹山代表開發區管委會，對天津芯碩精密機械有限公司落戶開發區，對開發區舊廠房升級改造工程啟動表示熱烈祝賀。
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- 據臺積電公司負責技術研發的副總裁蔣尚義表示，2011年臺積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長13.5nm)光刻設備將運抵廠內，這批訂 購的設備將為臺積電公司2013年將公司制程能力升級到20nm級別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺積電技術論壇會議上說出這番話的,他同時還指 出EUV光刻技術要想投入商用還需要更加成熟，另外他還透露這批訂購的EUV光刻工具每小時能刻制100片晶圓。
臺積電首批EUV光刻設備將被安裝在300mm Fab12工廠內，而臺積電未來的研發重點則將放在2
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臺積電 20nm 光刻設備
- 據荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導體廠商對沉浸式光刻設備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時還 招聘了數百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時還預計公司將可保證各個客戶對光刻設備的訂單需求。
由于消費電子設備以及PC市場對高密度芯片的需求在不斷上升，ASML公司的高管表示他預計他的客戶們在今明兩年不會碰上所生產的芯片產品供過于求的情況。
據ASML公司今年一季度公布的財報數據顯示，這家光刻廠商今年一季度末的N
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- 據內存業者透露，由于沉浸式光刻設備的交貨日程有所延長，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內存芯片制造商今年轉向50nm級別制程節點的計劃有 可能會后延.而另一家臺系內存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠)計劃于今年二月份開始的光刻設備導入計劃也有可能會后延兩個月左右的時間。
而南亞和華亞則澄清稱其購買的沉浸式光刻設備將以分期到貨的形式進場，并宣稱此前進場的設備已經按原計劃完成了進貨。
按南亞和華亞的計劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術的轉換工作，并將于下半年開始試產40nm
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華亞 光刻設備 內存芯片
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統。該公司已使EUV光學系統達到了生產要求。
光學系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產效率。
據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統已經研發了約15年。
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