二極管文章進(jìn)入二極管技術(shù)社區(qū)

功率MOSFET的由來及結(jié)構(gòu)原理淺談

什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制...
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SiC二極管通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
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Vishay推出新款超小外形的高速紅外發(fā)光二極管

2013 年 11 月7 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側(cè)視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術(shù)，具有高發(fā)光強(qiáng)度和光功率，以及快速的開關(guān)時(shí)間。
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Littelfuse SP3012系列瞬態(tài)抑制二極管陣列的新封裝選擇帶來布局靈活性

全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse公司，日前宣布為其SP3012系列瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)產(chǎn)品新添兩種封裝選擇。與該系列的其它產(chǎn)品類似，新器件經(jīng)過優(yōu)化，可防止外部ESD(靜電放電)對(duì)高速數(shù)據(jù)線的敏感型芯片組造成破壞。
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采用全新工藝方法，超越微細(xì)化界限的元器件“RASMID?系列”

近年來，伴隨著各種設(shè)備的高性能化發(fā)展，對(duì)元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下，ROHM很早就開始利用獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)化技術(shù)，不斷推進(jìn)元器件小型化的技術(shù)創(chuàng)新。
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加穩(wěn)壓二極管并聯(lián)穩(wěn)壓電路

加穩(wěn)壓二極管并聯(lián)穩(wěn)壓電路上述電路不動(dòng)，在電容后面加穩(wěn)壓二極管電路(510Ω、VDz)，按圖1-4接線。圖1-4當(dāng)接 ...
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)秘笈之降壓/升壓設(shè)計(jì)中降壓控制器

開關(guān)電源設(shè)計(jì)秘笈之降壓/升壓設(shè)計(jì)中降壓控制器,電子電路通常都工作在正穩(wěn)壓輸出電壓下，而這些電壓一般都是由降壓穩(wěn)壓器來提供的。如果同時(shí)還需要負(fù)輸出電壓，那么在降壓—升壓拓?fù)渲芯涂梢耘渲孟嗤慕祲嚎刂破鳌Ｘ?fù)
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基于Proteus的單片機(jī)計(jì)時(shí)器設(shè)計(jì)

基于Proteus的單片機(jī)計(jì)時(shí)器設(shè)計(jì),本系統(tǒng)的設(shè)計(jì)采用Proteus與Keil軟件結(jié)合構(gòu)建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，這種方法既可以很好的模擬電路的運(yùn)行效果又可以大大的降低設(shè)計(jì)成本、縮短設(shè)計(jì)周期，是目前非常流行的設(shè)計(jì)方法。
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基于雙通道光電耦合離軸旋轉(zhuǎn)連接器設(shè)計(jì)方案

基于雙通道光電耦合離軸旋轉(zhuǎn)連接器設(shè)計(jì)方案,本文設(shè)計(jì)一種新型光電耦合旋轉(zhuǎn)連接器的方案。通過復(fù)合光場實(shí)現(xiàn)360度雙通道信號(hào)連續(xù)傳輸。給出了連接器的設(shè)計(jì)原理，并通過試驗(yàn)測試了信號(hào)傳輸性能，驗(yàn)證了連接器的實(shí)際可行性。
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介紹整流電路的類型以及相關(guān)原理

電力網(wǎng)供給用戶的是交流電，而各種無線電裝置需要用直流電。整流，就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^程。利用具有...
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LED基礎(chǔ)知識(shí)大普及

LED基礎(chǔ)知識(shí)大普及,眾所周知，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(簡稱LED)、數(shù)碼管、符號(hào)管、米字管及點(diǎn)陣式顯示屏(簡稱矩陣管)等。而事實(shí)上，數(shù)碼管、符號(hào)管、米字管及矩陣管中的每個(gè)發(fā)光單元都是一個(gè)發(fā)光二極管。下面我們先從簡單的原理、特性、應(yīng)用及封裝逐一來了解。
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Littelfuse推出的新款低電容瞬態(tài)抑制二極管陣列

Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，現(xiàn)已推出兩個(gè)系列的分散式低電容瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)，這兩個(gè)系列均經(jīng)過優(yōu)化，可幫助電信電路和硬件設(shè)計(jì)師保護(hù)電信接口，以防遭受雷擊感應(yīng)浪涌和靜電放電(ESD)的破壞。
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MC33035的驅(qū)動(dòng)輸出電路

MC33035的驅(qū)動(dòng)輸出電路,MC33035的3個(gè)上側(cè)驅(qū)動(dòng)輸出(1、2、24腳)是集電極開路的NPN型晶體管，其吸入電流能力為50mA，耐壓為40V，可用來驅(qū)動(dòng)外接逆變橋上橋臂的NPN型功率晶體管和P溝道MOSFET功率管。
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標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),隨著射頻無線通訊事業(yè)的發(fā)展，高性能低成本的射頻設(shè)計(jì)方案越來越受到人們的親睞。肖特基勢(shì)壘二極管在射頻電路中是重要的元件組成，屬于一種多數(shù)載流子器件，高頻性能非常優(yōu)越。本文主要介紹一種在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的基礎(chǔ)上，提出的集成肖特基二極管設(shè)計(jì)方法，并且該方法在charted 0.35μm工藝中以MPW的方式得以實(shí)現(xiàn)。
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解決高頻開關(guān)電源的電磁兼容問題

解決高頻開關(guān)電源的電磁兼容問題,隨著高頻開關(guān)電源技術(shù)的不斷完善和日趨成熟，其在鐵路信號(hào)供電系統(tǒng)中的應(yīng)用也在迅速增加。與此同時(shí)，高頻開關(guān)電源自身存在的電磁騷擾(EMI)問題如果處理不好，不僅容易對(duì)電網(wǎng)
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二極管介紹

　　二極管（diode）又叫兩極管，整流的半導(dǎo)體; 只往一個(gè)方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個(gè)PN接合的2個(gè)端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動(dòng)或不流動(dòng)的性質(zhì)。二極管的特性與應(yīng)用　　幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。　　二極管的應(yīng)用　　1、整流二極管　　利用二極管單向 [ 查看詳細(xì) ]