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        Vishay推出新款超小外形的高速紅外發(fā)光二極管

        —— 高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD側視封裝和GaAIAs表面發(fā)射器以及MQW技術 發(fā)光強度達到82mW/sr
        作者: 時間:2013-11-16 來源:電子產品世界 收藏

          2013 年 11 月7 日, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面和多量子井(MQW)技術,具有高發(fā)光強度和光功率,以及快速的開關時間。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/189362.htm

           Semiconductors的VSMY14940和VSMB14940高度極低,半強角只有±9°,非常適合空間受限的終端產品中的遙控應用,如智能手機和平板電腦等移動設備。另外,這些器件還可以用作光柵和煙霧探測器的高強度

          基于GaAIAs表面芯片技術,VSMY14940在70mA驅動電流下實現了82mW/sr的極高發(fā)光強度,10ns的快速開關時間,以及1.48V的正向電壓。在需要較低發(fā)光強度的應用里,采用GaAIAs MQW的VSMB14940能夠提供35mW/sr的發(fā)光強度,15ns的開關時間和低至1.33V的正向電壓。

          當下推出的發(fā)光符合RoHS和 Green標準,無鹵素,無鉛,可采用溫度達260℃的無鉛焊接。器件可以在車間里存放168小時,潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-020規(guī)定的3級。

          器件規(guī)格表:

        型號

        VSMY14940

        VSMB14940

        技術

        GaAIAs, 表面發(fā)射器

        GaAIAs, MQW

        發(fā)光強度 (mW/sr)

        82

        35

        發(fā)光功率 (mW)

        40

        28

        正向電壓 (V)

        1.48

        1.33

        開關時間 (ns)

        10

        15

          新紅外發(fā)光現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。

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