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傳富士通正調(diào)整戰(zhàn)略：擬向臺積電出售晶圓廠
- 北京時間12月29日晚間消息，路透社援引消息人士的觀點稱，日本富士通正與臺灣芯片代工廠商臺積電接洽，打算將旗下12寸晶圓廠出售給后者。 報道稱，日本的芯片廠商正面臨架構(gòu)升級成本高昂、日元持續(xù)走強(qiáng)以及來自三星等韓國競爭對手的強(qiáng)勢沖擊等不利因素，不得不考慮將生產(chǎn)外包到日本之外的地方。 富士通此次打算出售的是其位于日本西部三重縣的半導(dǎo)體工廠，該工廠主要生產(chǎn)用于照相機(jī)的圖像處理芯片，以及用戶超級計算機(jī)的數(shù)字運算芯片。 據(jù)稱，此次出售制造工廠是富士通戰(zhàn)略調(diào)整計劃的一部分，該公司打算將生產(chǎn)制造業(yè)
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芯片制作工藝需追趕世界潮流 加倍努力
- 隨著科技的發(fā)展，在半導(dǎo)體設(shè)計制造方面，各相關(guān)廠商相繼突破制造工藝，提高市場競爭力。 2012年初，富士通半導(dǎo)體宣布交付其為中小型IC設(shè)計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝)，一度引發(fā)中國IC設(shè)計業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設(shè)計業(yè)2012年會暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上，富士通半導(dǎo)體又一次帶來驚喜，率先將已經(jīng)量產(chǎn)的成熟28nm先進(jìn)工藝和設(shè)計服務(wù)帶給中國高端SoC設(shè)計業(yè)者。 “55nm創(chuàng)新工藝制
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
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富士通“180度全直流變頻空調(diào)方案”獲年度最佳綠色節(jié)能方案
- 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，其基于富士通FM3的電機(jī)控制新技術(shù)---180度全直流變頻空調(diào)方案獲得了2012年電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎之“年度最佳綠色節(jié)能方案獎”。
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