海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內存芯片

　　據報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產。

　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統計，1Gb DDR3內存芯片的市場份額已經達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場上的主流。

　　根據海力士的介紹，數據中心、服務器、超級計算機或其它對電池續航要求較高的移動產品都可采用這種低功耗芯片。

　　此次1Gb DDR3內存芯片的設計理念還將應用于未來的40nm 2Gb DDR3芯片設計。