KLA-TENCOR推出最新設計檢測方案
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DesignScan 能在將掩膜版設計提交生產之前
發現任何聚焦和曝光條件下的全部缺陷類型
KLA-Tencor 近日正式發布了業界第一套用于 post-RET（分辨率增強技術）掩膜版設計版面 (reticle design layout)檢測的完整芯片光刻制程工藝窗口(lithography process window)（允許誤差空間）檢測系統。DesignScan 能使芯片生產商減少掩膜版的設計修正次數，獲得高成品率的設計，以實現更好的參數化設計性能和快速的上市時間。通過 DesignScan 可在將設計提交到掩膜版生產之前識別并優化設計相關的影響性能和成品率的圖形。DesignScan 特別適合極其精細且易出現問題的 90 納米及以下光刻制程工藝窗口設計。一些領先的集成器件生產商 (IDM)、代工廠 (foundry) 以及無工廠芯片生產商 (fabless companies) 正在對 DesignScan 進行使用評估。
DesignScan 可對 post-RET 掩膜版設計進行在線檢測，以發現光刻制程工藝窗口中的錯誤。通過與 LithoView 配合使用，具有的新功能可加強代工廠和無工廠芯片生產商之間的協作，DesignScan 能識別影響性能和成品率的圖形，并將這些信息向上反饋到無工廠的設計機構。LithoView 允許無工廠設計機構能查看由 DesignScan 檢測到的結果。DesignScan 可為晶片光刻制程工藝優化設計，為光刻制程工藝優化 post-RET 掩膜版版面，以及為設計優化光刻制程工藝，進而提高光刻制程工藝窗口的設計性能。
“由于掩膜版版面總是不斷偏離設計目標，因此為生產而設計 (DFM) 顯得非常重要，”KLA-Tencor 掩膜版和光掩膜檢測事業部 (RAPID) 總經理 Harold Lehon 指出。“作為一家致力于成品率管理的公司，KLA-Tencor 始終專注于使半導體生產公司能更好地進行決策，并在半導體價值鏈的所有層次上提高成品率。通過 DesignScan 等方案，我們可以將我們的成品率知識和專業技術向上延伸到 post-RET 設計階段。”
光刻工藝要求對掩膜版版面采用極其復雜的 RET，例如 OPC 功能，以便獲得成功的圖形。在設計中加入 OPC 之后，必須通過檢測以確保沒有任何可能導致圖形缺陷的設計錯誤，并確保能在掩膜版生產之前為給定工藝設計提供合理的光刻制程工藝窗口。盡早地檢測到這些錯誤是非常關鍵的，因為在掩膜版生產之前發現的設計錯誤可能只需幾天或一周就能加以糾正，但是如果等到在代工廠才檢測到錯誤，則會導致數個月的時間延誤。DesignScan 為檢測和優化工藝窗口提供了最快的周轉時間。
“由于新一代芯片的設計復雜性不斷增加，系統性的成品率損失正在逐漸升高，”KLA-Tencor 負責光刻的副總裁 Chris Mack 認為，他也是 DesignScan 計劃的最初負責經理。“成品率提高的最大可能存在于光刻部分，這是因為由于聚焦和曝光偏差，設計版面和 RET/OPC 已經無法繼續優化。對芯片生產商而言，僅僅弄清最佳聚焦和曝光情況下的設計成品率是不夠的。要獲得最嚴格的參數化成品率分布，需要在整個光刻工藝窗口中進行設計檢測。”
物理建模可獲得更高精確性并降低校準負擔
DesignScan 構建在經過業界認可的可靠成像計算機平臺上，在實現中采用了 KLA-Tencor 一些領先的檢測系統。它采用的物理模型能準確地模擬設計是如何轉移到掩膜版層，以及掩膜版是如何成像為光刻膠。然后將模擬圖像同所需的設計圖形進行比較，并采用缺陷檢測算法來確定標準工藝窗口之內或之外出現的任何不可接受的圖形偏差。
DesignScan 融合了 KLA-Tencor 在光刻模擬領域的專業技術，并采用獨有的校準方法。DesignScan 檢測可在整個工藝窗口中任意選擇的聚焦曝光位置上進行，而只需單次校準。8-mm x 8-mm 晶片級掩膜版版面可在約兩小時內完成9個聚焦曝光位置的檢測。而目前的 OPC 以及經驗驗證模型則必須在每種聚焦-曝光條件下進行校準。DesignScan 獨有的校準過程和物理模型，能顯著降低用戶的校準工作量，并獲得優異的模型精度。此外，與經驗模型不同，DesignScan 模型在設計出現變化或采用 RET 之后無需重新校準。一些進一步的細微工藝變化，例如新的步進光刻機數值孔徑 (NA)，也無需重新校準模型。對于典型的掩膜版設計，DesignScan 檢測只需不到 500 美元即可完成，并且檢測過程可以與掩膜版出帶工藝并發進行。KLA-Tencor 運用其在缺陷檢查和定位方面的專業技術，建立了基于環境的缺陷分級模型，可對缺陷進行排序并確定優先級，能有效提高檢查效率，并加速對缺陷根源的分析。
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