輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器(08-100)
—— 輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器
加入技術交流群
由此可見，傳統的雙極功率晶體管，經過革新挖潛，能夠以新的面目出現，用來滿足新應用的需求。由于Si雙極功率晶體管匹配性較好，并聯應用可獲得更大峰值輸出，TAN500雙管并聯即可產生1000W的峰值功率。除Si雙極之外，GaAs雙極射頻功率晶體管同樣取得不少改進，限于篇幅，在此從略。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/91679.htmMOS場效應射頻功率晶體管
自70年代開始，Si的CMOS集成電路一直是CPU、DSP和存儲器的核心工藝，按摩爾定律不斷發展，依靠縮小幾何尺寸來提高性能價格比。相對來說，Si CMOS工藝應用到高頻功率器件的困難較多，SiMOS場效應晶體管需要大幾何尺寸，比增加功率和降低熱耗，從而使頻率特性不容易提高。早期的SiMOS場效應功率晶體管沿著橫向擴大幾何尺寸，稱為橫向擴散MOS晶體管(LDMOS)，90年代出現沿著縱向布局的縱向擴散MOS晶體管(VDMOS)，近年兩種不同設計的MOS高頻功率晶體管都取得碩果。
2008年飛思卡爾(Freescale)公司提供的MRF6系列針對L波段的雷達應用，峰值功率330W，它的結構如圖4a所示。例如MRF6V14300H的功率增益Gps、漏極效率nD和回波損耗IRL的頻率特性如圖3所示，工作特性如表2所示。
表2 MRF6V14300H SiMOS場效應晶體管的工作特性
圖3 MRF6V14300H Si場效應管的增益、效率和回波損耗特性
評論