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        意法半導體(ST)推出新抗輻射基準電壓芯片,在各種工作條件下實現穩定可靠的性能

        作者: 時間:2014-10-28 來源:電子產品世界 收藏

          橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商(STMicroelectronics,簡稱ST)在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布,其現有的/R產品新增一系列經過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的R。新晶體管擁有同類產品中最佳的抗輻射性能,特別適合航天和高可靠性系統,包括衛星以及核物理(nuclear physics)和醫療應用。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/264509.htm

          自1977年起開始為歐洲航天局(European Space Agency)提供半導體解決方案,在歐洲航天局成立后一直獲得該航天局的產品認證。不斷改善抗輻射產品性能,目前推出的新產品就是一個典型實例。

          JANS系統屬于意法半導體于2013年發布的歐洲空間元器件協調委員會(ESCC, European Space Components Coordination)項目的創新成果。新發布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率,意法半導體對每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測試。此外,意法半導體還宣布其JANSR+產品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測試數據,展示其出色的抗輻射效應性能。

          因此,意法半導體的JANSR+系列產品讓客戶有機會使用抗輻射性能優異且配備所有相關測試數據的抗輻射產品。客戶可直接使用這些產品,無需任何額外的篩選成本和交貨周期,因此大幅提升了抗輻射產品的市場標準。

          意法半導體事業部副總裁兼功率晶體管產品部總經理Mario Aleo表示:“意法半導體為歐洲航天工業提供抗輻射的時間長達35年,我們的產品飛行時間累計超過數億個小時。我們專門調整的航天技術設計取得了同類最好的抗輻射性能,現在又獲得了DLA證書,美國客戶將受益于我們的無與倫比的耐輻射性能。”

          所有產品都采用先進的密閉UB封裝,可立即提供樣品及開放大批量訂貨。

          詳情請查詢網頁www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr

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