輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器(08-100)
—— 輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器
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TAN500的典型輸入/輸出特性曲線和集電極效率曲線如圖1和圖2所示。從圖中可見，在90MHz、1090MHz和1215MHz頻率下，輸入功率/輸出功率有不錯的線性關系，而且在額定峰值輸出功率500W下，集電極效率超過40%。對于Si雙極晶體管射頻末極功率放大器來說，TAN500的整體指標處在領先水平。目前TAN系列已有TAN300、TAN350和TA500等多種型號，分別是輸出功率300W、350W和500W的同族產品，而且1000W以上的型號將很快推出。實際上，Microsem公司在2005年生產的MDS系列Si雙極射頻功率晶體管中，MDS1100是用于航空電子設備末級功放的器件。它在+50V電源和1030MHz下可提供超過1000W的峰值功率輸出，在20℃環境溫度下最大功耗是8750W，最高工作溫度可達+200℃，最低集電極效率是45%。TAN系列晶體管的設計理念與MDS系列的完全相同，但是對設計參數進一步優化，達到特性參數最佳的目的。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/91679.htm
圖1 TAN500 Si雙極晶體管的輸入/輸出特性
圖2 TAN500 Si雙極晶體管的效率特性
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