安森美半導體推出新雙緣(Dual-Edge) PWM控制器

　　2005年10月10日 – 電源管理產品全球領導供應商安森美半導體 (ON Semiconductor，    美國納斯達克上市代號: ONNN) 宣布成功開發創新雙緣 (dual-edge) 脈沖寬度調制 (PWM) 控制器硅芯片產品，并開始為取得VR11電源授權廠商提供工程樣品。

　　安森美半導體高性能模擬產品部副總裁Bill Schromm說: “客戶的反饋相當正面，從客戶的反應中我們知道，新推出的雙緣PWM解決方案提供了最佳的性能與成本組合。”

　　功能更加豐富、性能更加提升以及配備日益普及的無線連通等各種功能需求將持續推動計算與數字消費電子產品市場的發展。安森美半導體新推出的直流─直流轉換控制器，特別針對必須具備高轉換效率之高度穩定低電壓電源供應電路的有源應用提出解決方案，以符合VR11嚴格的規格。

　　安森美半導體模擬產品部高級副總裁兼總經理施禮賢(Larry Sims)說: “安森美半導體成功開發這直流─直流控制器將能夠大幅強化高性能CPU主板上的電源子系統，這產品預計將在年底推出面市，更進一步加強我們現有的DDR控制器、通用控制器、MOSFET與分立器件等計算應用產品的組合。”

雙緣(Dual-Edge)技術

　　安森美半導體的雙緣PWM技術為業界第一個應用于計算CPU電源。

　　具有比現今業界產品速度大幅提高的瞬變負載響應，安森美半導體的雙緣PWM技術將能夠讓電源管理子系統對使用者所進行的高效能計算進行快速反應。和安森美半導體的新雙緣PWM技術比較，業界現有的單緣解決方案需要用高于最優的頻率運作，或者使用大量的電容保持電路，這些選擇需要更加復雜并且體積更大的電源管理子系統。通過在多相位電源波形上所有相位的同時轉換，安森美半導體的創新解決方案能夠提供比業界標準單緣控制更快的反應速度。這項改進和現有的前緣或后緣方案比較，將能夠讓電源管理子系統在更低的頻率運作，同時使用更少的保持電容。

產品特性

　　雙緣PWM對瞬變負載快速初始響應

　　專利申請中的動態參考注入(Dynamic Reference Injection)

　　+0.5%系統電壓精確度

　　VR11遠程溫度傳感功能

　　逆向兼容VR10規格

　　無耗損差動式電感電流傳感

 
目標應用

　　Pentium IV處理器

　　VRM模塊

　　圖形顯示適配卡

　　低電壓高電流電源應用