ST128兆 NAND閃存芯片轉(zhuǎn)向90納米制造技術(shù)
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能夠提高消費(fèi)電子設(shè)備制造商的成本效益
意法半導(dǎo)體今天宣布128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產(chǎn)轉(zhuǎn)向90納米制造工藝，這一舉措有助于降低在對(duì)成本要求很高的消費(fèi)設(shè)備中廣泛使用的存儲(chǔ)芯片的成本和功耗，這些設(shè)備包括數(shù)碼相機(jī)、語(yǔ)音筆、PDA、機(jī)頂盒（STB）、打印機(jī)和捆綁式閃存卡。ST的NAND128是當(dāng)今市場(chǎng)上僅有的一個(gè)采用90nm 制造工藝的128-Mbit NAND 閃存。
新產(chǎn)品證明了ST繼續(xù)開(kāi)發(fā)低密度“小頁(yè)”NAND閃存產(chǎn)品的承諾，以支持正在使用目前已量產(chǎn)的該系列產(chǎn)品的用戶。NAND128W3A2BN6E 是一個(gè)采用TSOP封裝的3V產(chǎn)品，以消費(fèi)電子產(chǎn)品為目標(biāo)應(yīng)用。另兩款產(chǎn)品256-Mbit和512-Mbit的NAND閃存（均有3V 和1.8V兩個(gè)版本）也將在今后幾個(gè)月內(nèi)過(guò)渡到90納米制造工藝。
NAND128具有超高速的數(shù)據(jù)吞吐量和擦寫(xiě)能力，該系列產(chǎn)品的地址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號(hào)都通過(guò)一個(gè)8位總線多路傳輸，從而降低了芯片的引腳數(shù)量，并允許使用一個(gè)模塊化的NAND接口，使設(shè)備制造商無(wú)需改變芯片占板空間就可制造使用更高（或更低）密度的改進(jìn)系統(tǒng)。
ST提供的軟件工具套件支持快速的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，能夠延長(zhǎng)存儲(chǔ)器芯片的使用壽命。工具包括糾錯(cuò)代碼（ECC）軟件、壞塊管理（BBM）、平均讀寫(xiě)算法、文件系統(tǒng)OS本機(jī)參考軟件和硬件仿真模型。壞塊管理能夠發(fā)現(xiàn)并更換一個(gè)讀寫(xiě)失敗的區(qū)塊，將數(shù)據(jù)復(fù)制到一個(gè)有效的區(qū)塊內(nèi)；平均讀寫(xiě)算法通過(guò)在所有的區(qū)塊上分配擦寫(xiě)操作實(shí)現(xiàn)優(yōu)化器件的老化問(wèn)題。
新的閃存芯片由1024個(gè)標(biāo)稱16字節(jié)的區(qū)塊組成，每個(gè)區(qū)塊又分成512字節(jié)的頁(yè)面，每頁(yè)還有16個(gè)備用字節(jié)，同時(shí)每個(gè)頁(yè)面均可執(zhí)行讀取與編程操作。備用字節(jié)用于糾錯(cuò)、軟件卷標(biāo)或壞塊識(shí)別。備份編程（Copy Back Program）模式能給儲(chǔ)存在某一個(gè)頁(yè)面的數(shù)據(jù)編程，然后將編程數(shù)據(jù)直接轉(zhuǎn)存到另一個(gè)頁(yè)面上，而無(wú)需額外的緩存。當(dāng)頁(yè)面編程操作因一個(gè)損壞區(qū)塊而失敗時(shí)，這個(gè)功能特別有用。新器件還提供區(qū)塊擦除指令，擦除一個(gè)區(qū)塊的時(shí)間僅需2ms。每個(gè)區(qū)塊的耐擦寫(xiě)能力為100,000次，數(shù)據(jù)保存期限為10年。
新器件還包含"無(wú)需介意芯片激活"功能，可簡(jiǎn)化微控制器的接口設(shè)計(jì)，同時(shí)能簡(jiǎn)化NAND閃存與NOR閃存、SRAM等內(nèi)存的整合過(guò)程。另外，制造商在器件出廠前可以設(shè)定一個(gè)唯一的器件ID序列號(hào)，用戶利用一個(gè)用戶可編程序列號(hào)可以提高目標(biāo)應(yīng)用的安全功能。
NAND128W3A2BN6E 已開(kāi)始量產(chǎn)，價(jià)格區(qū)間在4美元到4.5美元之間，封裝為TSOP48無(wú)鉛封裝，工作溫度范圍-40 到 +85攝氏度。
評(píng)論