新SOI電路模型應邀競爭國際標準 北大微電子研究爭創世界一流水平

　　近日，北京大學微電子學研究院教授何進博士的喜接美國電子和信息技術聯合會 (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的國際集成電路模型標準化委員會（CMC： Compact modeling Council）的主席邀請函，邀請何進教授參加于6月5日到6日在美國波士頓舉行的關于新一代SOI 集成電路國際標準模型選擇的CMC會議， 攜帶北京大學自主研發的新SOI電路模型競爭高科技IT技術—納米SOI集成電路模型的國際標準。 經過長時間的評審和漫長等待，何進教授的研究團隊終于盼來了這一時刻：北京大學微電子學研究院自主研發的納米SOI電路模型—ULTRA-SOI在強手如林的國際評審中成為國際上最后的4個競爭者之一，在波士頓可以站在國際集成電路模型的最高講臺上面對國際半導體工業巨頭如IBM，AMD， TI和TSMC和國際EDA 公司如CADENCE 和SYNOPSYS等的專家和代表，介紹自己團隊開發的SOI電路模型的科學創新性，闡述競爭SOI模型國際標準的主要工程技術特色。 這一行動，向國際半導體工業界充分顯示了北大微電子研究爭創世界一流水平的實力和成就。

　　SOI(Silicon On Insulator)技術作為一種主流的集成電路技術，有著許多體硅CMOS技術不可比擬的優越性。在傳統體硅技術中，隨著特征尺寸的縮小，器件內部以及器件與器件之間通過襯底的相互作用日益嚴重， 從而限制了他們的進一步應用。SOI集成電路技術以其獨特的材料結構有效克服了體硅集成電路的缺點，具有功耗低，抗干擾力強，隔離面積小，寄生電容小，工藝簡單，抗輻照能力強等顯著特色。 盡管SOI具有上述諸多優勢，受制于高昂成本和工藝技術，但傳統上僅僅用于軍事等特殊領域。 直到最近的四到五年，IBM 和AMD生產出商用SOI芯片和計算機，SOI集成電路才逐漸成為主流。

　　在上述背景下，用于SOI集成電路技術設計和仿真的ULTRA-SOI應運而生。 ULTRA-SOI是北京大學納太器件和電路研究室研究的，針對SOI器件和電路的創新性納米尺寸絕緣柵場效應晶體管模型。它使用了新的物理核心和工程模型結構來模擬納米尺寸的SOI MOSFET行為。與國際上的同類研究相比，ULTRA-SOI具有明顯的科學創新性和高技術特色，不僅有望在國際主流的集成電路設計EDA工具中得到實際使用，現在還獲邀參加國際標準競爭。 這一成果充分顯示了北京大學微電子研究不僅是國內基礎研究的重鎮，還是集成電路工程技術開發的先鋒。