英飛凌推進DDR2 FB-DIMM部署推出ARM芯片

2005年8月26日在舊金山召開的英特爾開發商論壇（IDF）上，全球內存產品供應商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，該公司正在推出雙數據速率2（DDR2）全緩沖內存模塊（FB-DIMM）樣品，英飛凌是業界唯一能設計和生產FB_DIMM所有關鍵部件的公司。容量在512MB到4GB之間的新型FB-DIMM，基于英飛凌出品的高級內存緩沖（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主開發的散熱器。另外，英飛凌還為其他FB-DIMM生產商提供AMB邏輯芯片，并且已經將樣品發給了第一批客戶。

“新模塊的優化生產需要三方面的創新：高容量高速DDR2 DRAM、 AMB芯片以及散熱器（管理高內存容量與高速AMB芯片融合產生的熱負荷），”英飛凌內存產品事業部計算業務部主管Michael Buckermann說，“從2006年起，這種技術將開始逐漸取代高端服務器系統中的寄存式DIMM產品，英飛凌對組件和模塊生產的全面控制將為服務器生產商提供成熟的高質量產品，并實現順利部署經過優化調整的FB-DIMM。”

FB-DIMM把現行寄存式DIMM的并行結構變成了串行點到點連接。這將消除新一代服務器內存容量增加與速度升級導致的吞吐量瓶頸。英飛凌設計生產的AMB，是一個高度復雜的邏輯芯片，它將控制點到點連接，第一代AMB能提供4.8Gbps的數據速率來實現與傳輸速度高達800Mbps 的DDR2 DRAM的直接高速鏈接。除了用于自有模塊之外，英飛凌還為其他FB-DIMM生產商提供AMB芯片，從而推進新一代服務器內存的市場滲透。

作為FB-DIMM開發領域的先驅，英飛凌在2004年8月推出了業內第一款AMB測試芯片，并在2005年2月的IDF論壇上成功展示了DDR2平臺上的系統啟動。今天宣布的這代FB-DIMM將運用速度級別在553和667Mbps的DDR2 DRAM，今后將進一步提升到800 Mbps。

根據市場調查公司iSuppli最近的一份報告顯示，在OEM服務器市場，FB-DIMM在2006年所占份額為16%（總數420萬套），到2008年將增加到79%。

現在基于512Mbit、1Gbit DDR2 533和DDR2 667顆粒，容量分別為512MB、1GB、2GB 和 4GB的FB-DIMM樣品現已推出。批量生產計劃在2005年第四季度開始。

英飛凌推出的數據速率達4.8Gbps的AMB芯片采用665球高性能BGA封裝。現在該產品也有樣品提供。