IBM、英飛凌與旺宏聯手推出PCM技術研究計劃

  　2005年5月23日，北京訊——IBM、英飛凌和旺宏電子今日宣布，三方將聯手推出一個研究計劃，以便進一步挖掘一種全新的計算機存儲器技術——相變內存（PCM）的巨大潛力。

　　盡管仍處于開發早期階段，但這種技術在高速、高密度數據存儲方面已經顯示出巨大的潛力，并實現了斷電時的數據保護。此項技術的這些優良特性將為從高性能服務器到消費電子產品的多種應用帶來巨大的利益。

　　這種創新技術完美融合了IBM在基礎材料和物理研究領域的強大實力，英飛凌在內存技術研發及生產方面的超凡能力，以及旺宏電子在非易失性內存技術領域的豐富經驗。

　　“此次合作再次增強了IBM探索內存應用新技術的決心，”IBM研究院科技副總裁T.C. Chen說，“這個計劃的目的在于開發用于高性能非易失性內存的新材料，并在內存芯片中對這些材料進行評估。”

　　“這項計劃再次顯示了英飛凌在新興內存技術的評估和開發領域的強大動力，”英飛凌內存產品部技術與開發高級副總裁Wilhelm Beinvogl表示，“通過這次凝聚著各個領域專家智慧的合作，英飛凌進一步延續了自己在合作研發方面的悠久歷史。”

　　“旺宏電子在非易失性內存的獨立和聯合開發方面有著悠久的歷史。此次PCM研發聯盟使我們為客戶追求最佳技術和最大價值的理念得到了進一步延續。我們堅信此次PCM聯合研發不僅能夠使非易失性內存超越現有的浮柵和Nbit（2位/單元）技術，同時還將帶來嶄新的市場機會，”旺宏電子總裁兼首席執行官吳敏求說道。

　　研究工作將由分別來自三家公司的約20～25名員工在IBM華生研究中心（美國紐約州約克鎮）和阿莫頓研究中心（美國加州圣何塞）進行。