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        基于電荷泵改進型CMOS模擬開關電路

        作者: 時間:2015-05-25 來源:網絡 收藏

          2改進型電路設計

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/274678.htm

          2.1電路描述和分析

          圖4為本文設計的柵增壓電路,M3和M4組成了一對傳輸門,可以保證輸入信號在高低電壓無損失地傳輸到傳輸門的另一端。M1的柵極接反相器的輸出端,漏源兩端分別接電容正極板和電源電壓,M1的作用是當開關連通且時鐘信號為高電平時,保證電容電壓抬升后不會迅速放電使電容正極板電位為0.M2的柵極接時鐘信號CLK,漏源兩端分別接電容正極板和電源電壓,它的作用是當開關關閉時,M2導通時使電容正極板電位保持在電源電壓。下面分析該電路的工作情況:

          當開關關閉時,S為低電平,M1導通,保證電容正極板上的電壓最低為VDD,此時M3和M4都不導通,信號不能達到輸出端。當開關導通時,S為高電平,M1截止,時鐘為低電平時,M2和M5導通,M1和M6關閉,電容充電至P-Vds;CLK為高時,由于電容兩邊電壓不會突變,電容正極板上的電壓會被抬升至原來的兩倍。

          從上面分析可知,所有跟開關柵端電壓連通的電壓都是和輸入信號無關的,因此開關導通電阻與輸入信號無關,可以大大抑制信號有關的電壓損失,保證了信號的線性度和器件的可靠性。

          

         

          圖3柵增壓仿真結果

          

         

          圖4改進型柵增壓電路

          2.2性能仿真及結果分析

          基于NEC0.35um工藝的模型參數,采用Spectre模擬軟件,對圖3進行模擬仿真。電源電壓為5V,輸入信號singlin為500KHZ,信號幅度5V,電荷泵時鐘為100MHZ,電容為1.8pf,仿真得到了開關導通電阻隨Vg電壓的變化(圖5)、電荷泵抬升后的電壓(圖6)和輸出信號結果(圖7),可見,導通電阻在大于電源電壓時急劇降低,電容正極板上的電壓可以抬升至9V,輸出電壓波形比較理圖想,損耗很小,幾乎沒有。

          

         

          圖5開關導通電阻的DC仿真結果

          

         

          圖6柵電壓tran仿真結果

          

         

          圖7輸出電壓仿真結果

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        關鍵詞: CMOS 模擬開關

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